砷化鎵光電導(dǎo)開關(guān)瞬態(tài)特性研究.pdf

1、在兼顧電脈沖功率和帶寬兩方面，光電導(dǎo)開關(guān)是最有效的微波輻射源。然而，由于GaAs材料的固有特性，半絕緣GaAs光電導(dǎo)開關(guān)在其工作性能上有明顯的優(yōu)點(diǎn)，特別是在一定的光能和電場(chǎng)閾值條件下，GaAs光電導(dǎo)開關(guān)能產(chǎn)生Lock-on效應(yīng)現(xiàn)象，所以GaAs光電導(dǎo)開關(guān)的器件研究和實(shí)際應(yīng)用開發(fā)成為光電導(dǎo)開關(guān)研究者所關(guān)注的焦點(diǎn)。然而到目前為止，沒有一種完善的理論模型，能對(duì)半絕緣GaAs光電導(dǎo)開關(guān)中發(fā)現(xiàn)的Lock-on效應(yīng)進(jìn)行較全面的解釋。作者測(cè)試了半絕緣

2、GaAs光電導(dǎo)開關(guān)在線性、非線性以及從線性到非線性過渡的臨界狀態(tài)模式下輸出的電脈沖波形，特別是反復(fù)測(cè)量了開關(guān)在臨界狀態(tài)下的偏置電場(chǎng)閾值和Lock-on電場(chǎng)強(qiáng)度。本文基于GaAs等Ⅲ—Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移電子理論，結(jié)合半絕緣GaAs光電導(dǎo)開關(guān)中特有的Lock-on效應(yīng)的研究，提出了類似于耿疇(高場(chǎng)疇或偶極疇)的單極電荷疇理論模型，對(duì)光電導(dǎo)開關(guān)Lock-on效應(yīng)的各種現(xiàn)象給出了理論解釋。由于單極電荷疇內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度增大，從而導(dǎo)致開關(guān)體內(nèi)載流子