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1、真空單源共蒸發(fā)法制備Zn摻雜SnS2薄膜,氮?dú)獗Wo(hù)對(duì)薄膜進(jìn)行不同條件熱處理.用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、手動(dòng)輪廓儀、光電子能譜儀、紫外-可見分光光度計(jì)、臺(tái)式繁用表和冷熱探針等對(duì)薄膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌、光電性能進(jìn)行測(cè)試分析.
實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出:Sn、S配比為1:1.5(at%)的混合粉末沉積的薄膜,經(jīng)380℃熱處理15min后得到結(jié)晶良好的SnS2多晶薄膜,結(jié)構(gòu)是簡(jiǎn)單正交晶系空間群P-3ml(164).按相同Sn、S配比分別
2、摻入5wt%和9wt%的純Zn粉,分別經(jīng)350℃、30min和370℃、20min熱處理后,SnS2薄膜的空間群均未發(fā)生變化但表面致密,粗糙度增加.摻Zn前后Sn和S在薄膜中均呈+4、-2價(jià)態(tài),Zn在薄膜中以+2價(jià)存在.未摻Zn的SnS2薄膜表面原子百分比為Sn:S=1:1.08,S損失較多;5wt%和9wt%摻Zn后薄膜表面原子百分比分別為Sn:S=1:1.44和1:1.55,與未摻Zn時(shí)相比明顯得到改善,接近SnS2的標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)計(jì)量比
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