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文檔簡介
1、本文采用圓形靶磁控濺射沉積鍍銅,研究了勵磁電流對磁控靶刻蝕軌跡以及勵磁電流與靶基距對鍍層分布均勻性的影響,并以此為依據(jù)設計了程控勵磁電源,利用計算機控制線圈中的濺射電流波形,目的是在保證鍍膜精度的前提下,提高靶材的利用率。
利用X射線衍射儀分析了磁控濺射沉積層的結構;用掃描電子顯微鏡分析了沉積層的形貌,利用Nano Indenter XP型納米壓痕儀測量膜層厚度;通過輪廓儀進行靶面刻蝕軌跡橫截面輪廓形貌的測量。勵磁電源的控制采
2、用VC++進行編程。
研究結果表明:刻蝕軌跡截面深度隨濺射時間和勵磁電流增加而表現(xiàn)為線性增加;刻蝕軌跡截面寬度可視為一個由磁場結構決定的常數(shù),而與濺射時間和勵磁電流無關;刻蝕軌跡中心位置隨勵磁電流的增加而變小。由以上結論擬合得到刻蝕軌跡截面形貌表達式,發(fā)現(xiàn)符合高斯函數(shù)形式;設計了三種非穩(wěn)恒勵磁電流形式,并分別模擬考察了三種勵磁電流下靶材的利用率,結果顯示,采用所設計的非穩(wěn)恒勵磁電流可以提高靶材的利用率。
根據(jù)以上結果
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