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文檔簡介
1、本文采用直流反應磁控濺射法分別在P型Si(111)基底和玻璃基底上沉積AlN薄膜。實驗采用單參數變化法,分別改變工作氣壓、基底溫度、濺射電流和氮氣含量四個工藝參數,研究其對所制備的AlN薄膜的結構和光學性能的影響,為高性能AlN薄膜的制備提供依據。
本論文的研究結果表明:
1)在不同工作氣壓下沉積的薄膜主要呈現六方AlN(100)和AlN(110)取向,且隨工作氣壓增大,衍射峰強度逐漸減弱;AlN薄膜的沉積速
2、率隨工作氣壓的增加先增大,后減??;在工作氣壓為0.6Pa時所沉積的AlN薄膜其禁帶寬度為5.93eV,接近于本征禁帶寬度6.2eV。
2)基底溫度對AlN薄膜的取向的影響較為顯著?;诇囟仍?00℃附近時,AlN薄膜取向開始由六方的AlN(002)轉變?yōu)榱紸lN(100)、AlN(110);六個AlN薄膜樣品的AFM掃描圖表明較高溫度有利于形成比較均勻、平整的薄膜;六個樣品在200-1000nm波段的平均透射率隨基底溫度
3、的升高而有所下降;基底溫度為480℃時,薄膜光學帶隙為5.93eV。
3)濺射電流對AlN薄膜的取向有很大的影響。當電流增加到0.40A時,薄膜中才出現明顯的h-AlN(100)和AlN(110)衍射峰;AlN薄膜的沉積速率隨濺射電流的增加而增大;隨電流增加,薄膜在整個測試波長范圍的平均透射率明顯下降,薄膜的光學帶隙逐漸增大到5.93eV。
4)隨氮氣含量的增加,AlN薄膜中h-AlN(100)和AlN(11
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