磁控濺射沉積銀薄膜退火織構(gòu)及其表征.pdf

1、薄膜的性能強(qiáng)烈地依賴(lài)于薄膜的微結(jié)構(gòu),材料科學(xué)一個(gè)重要研究方面就是對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)的控制.晶粒尺寸和織構(gòu)是薄膜微結(jié)構(gòu)的重要特征,它影響薄膜的機(jī)械和電磁特性,因此,可以通過(guò)對(duì)于晶粒尺寸和織構(gòu)的控制而提高薄膜的穩(wěn)定性和功能性.退火處理完全有可能引起薄膜中的晶粒生長(zhǎng)和織構(gòu)變化,因而探索薄膜退火過(guò)程中的晶粒生長(zhǎng)和織構(gòu)變化機(jī)理及規(guī)律,進(jìn)而通過(guò)微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化來(lái)提高薄膜材料的性能具有重大的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值.銀金屬薄膜是一種在高新技術(shù)領(lǐng)域及廣闊的民用領(lǐng)域極具潛

2、力的薄膜材料.近年來(lái),在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用(例如在磁存儲(chǔ)介質(zhì)、微電子設(shè)備中的應(yīng)用),有取代金屬鋁的趨勢(shì),因而吸引了許多研究人員的興趣.該文采用磁控濺射技術(shù),用純度為99.9％的銀板作為靶材,用厚度為1mm經(jīng)表面清潔處理后的(111)取向的硅單晶片作為襯底,制備了厚度約為2μm的銀薄膜.然后一組作為附著膜,另一組作為自由膜,改變退火條件在石英真空退火爐內(nèi)進(jìn)行退火處理.通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)和X