TiN薄膜的磁控濺射法制備及其光學性能研究.pdf

1、在TiN薄膜的基本物理性能的基礎上，本文提出制備具有低輻射和陽光控制的設想的TiN鍍膜玻璃。 本文采用反應磁控濺射法制備TiN薄膜，并分別在沉積時間、工作總壓、濺射功率、氮氣分壓、基底溫度，和襯底偏壓上進行參數(shù)控制，研究各個參數(shù)控制條件下TiN薄膜沉積速率、致密性及微觀結構、形貌、成分、生長取向的規(guī)律；分析TiN薄膜在紫外-可見-近紅外波段的透光性能，以及各種因素對氮化鈦薄膜電阻率和中遠紅外光反射率的影響。 研究結果表明

2、：對TiN薄膜結構、形貌和性能影響最大的是氮氣分壓、基底溫度和襯底偏壓。本文著重對這三個參數(shù)對TiN薄膜微觀結構、生長取向及性能的影響進行了較為深入的分析和研究，并獲得了一些相關規(guī)律。此外也討論了靶材燒蝕坑對薄膜質(zhì)量的影響。 對氮化鈦薄膜的光學性能研究表明：隨著沉積時間、氬氮比和系統(tǒng)偏壓的增加，薄膜對紫外-可見-近紅外光的透光率呈有規(guī)律地下降，表現(xiàn)出很好的對可見光和近紅外光的光譜選擇性?；诇囟鹊纳呤贡∧さ耐腹庑孕》鰪??？梢?/p>