PLT鐵電薄膜的LSMCD工藝制備及其性能的研究.pdf

1、LSMCD()技術(shù)自1992年問世以來,就引起了各國科學(xué)家的廣泛關(guān)注.至今為止,已經(jīng)成功制備出了多種鐵電薄膜,如PZT、(Ba,Sr)TiO<,3>等.該文系統(tǒng)地研究了采用LSMCD技術(shù)制備PLT(鑭鈦酸鉛)薄膜的工藝,并著重分析了各種因素對其相結(jié)構(gòu)的影響和薄膜的形成過程.采用MOD工藝的先體溶液,在沉積階段,拋棄了甩膠工藝,創(chuàng)新地使用超聲波霧化,有效地解決了薄膜厚度不均勻的難題.產(chǎn)生的微米級尺寸的氣霧,由載氣引入沉積室內(nèi),沉積在基片上

2、;然后在沉積室中進行預(yù)熱處理;重復(fù)此過程直至膜達到所需厚度,最后再進行退火處理.退火溫度、退火方式以及基片的選擇對PLT薄膜的相結(jié)構(gòu)有很大的影響:在保證PbO不揮發(fā)的情況下,退火溫度越高,薄膜的結(jié)晶越好;采用混合熱處理(RCA)制備的薄膜晶粒尺寸較大,形成了連續(xù)致密的薄膜,而快速熱處理(RTA)雖然可以消除焦綠石相,但薄膜晶粒較小.Pt電極有利于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的形成,Ti層厚度在20nm時,PLT薄膜取向最優(yōu).PLT薄膜的形成經(jīng)歷了島狀、網(wǎng)