弛豫鐵電薄膜PZNT的制備與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來，基于弛豫鐵電材料具有良好的鐵電、介電、壓電、電致伸縮、熱釋電、電學及非線性光學等特性[1]，可廣泛地應(yīng)用于光電子學、微電子學、微電子機械系統(tǒng)和集成鐵電學等學科，因此引起人們的研究興趣[2]。Pb(Zn1/3Nb2/3)O3(簡稱PZN)是一種典型的馳豫型鐵電體，PbTiO3(簡稱PT)是另一種性能良好的強鐵電體，將PZN與PT復合形成二元連續(xù)固溶體(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PZNT)[3]，研究

2、發(fā)現(xiàn)在PT含量為10％處有準同型相界(MPB)，PZNT單晶和薄膜在 MPB附近具有優(yōu)異的性能。本文在總結(jié)了國內(nèi)外對 PZNT研究的基礎(chǔ)上，利用脈沖激光沉積法(PLD)和溶膠-凝膠(SOL-GEL)方法制備出鈣鈦礦結(jié)構(gòu) PZNT薄膜。并對薄膜的鐵電性能和介電性能等進行了研究。研究內(nèi)容主要如下：
　　 1.采用脈沖激光沉積法(PLD)在Pt(111)/Ti/SiO2/Si上制備PZN-0.2PT薄膜，分析其微結(jié)構(gòu)。
　　

3、2.利用五氧化二鈮(Nb2O5)、三水醋酸鉛(C4H12O7Pb·3H2O)、二水醋酸鋅(Zn(CH3COO)2·2H2O)和鈦酸丁酯((C4H9O)4Ti)作為原始材料制備 PZNT前驅(qū)體溶液，本實驗的一個優(yōu)點是用五氧化二鈮替代昂貴的乙醇鈮(Nb(OC2H5)5)，從而改善了實驗條件，降低了試驗成本。
　　 3.采用SOL-GEL旋涂法，在Pt/Ti/SiO2/Si襯底上生長PZN-0.2PT薄膜。對薄膜結(jié)晶溫度、鐵電、介電性

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