弛豫鐵電薄膜pmn0.26pt的制備及其性能的研究

1、。論文中除了特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人或機(jī)構(gòu)已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果。其他同志對(duì)本研究的啟發(fā)和所做的貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的聲明并表示了謝意。作者簽名硎日期：7匆，7，∈。7歹論文使用授權(quán)聲明本人完全了解上海師范大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以采用影印、縮印或其它手段保存論文。保密的論文在解密后遵守此規(guī)定。作者警硎導(dǎo)師氆勿∽

2、期：≯，，論義題目：弛豫鐵電薄膜PMN026PT的制備及其性能的研究學(xué)科專業(yè)：理論物理學(xué)位申濤人：田列導(dǎo)師：石旺舟教授摘要j凼l“l(fā)IIL1111111ITIIIIII]llTll]llllnUl＼1868658鐵電薄膜材料具有良好的壓電性，鐵電性，熱釋電性，電光及非線性光學(xué)特性等，可J“泛地應(yīng)用于微電子學(xué)，光電子學(xué)，集成鐵電學(xué)和微電子機(jī)械系統(tǒng)等，成為國(guó)際上新型功能材料與集成器件的研究熱點(diǎn)。隨著薄膜制各技術(shù)的不斷發(fā)展，目前已經(jīng)制成微傳感

3、器、FRAM器件、DRAM器件、熱釋電紅外探測(cè)器、空間光調(diào)節(jié)器、光盤(pán)存儲(chǔ)器、光波導(dǎo)器件等大量器件。鈮鎂酸鉛(PMN)是典型的馳豫型鐵電體，鈦酸鉛(PT)是四方品系的正常強(qiáng)鐵電體。(1一x)Pb(Mgl／3Nb2／3)03xPbTi03(簡(jiǎn)稱PMNPT)是由PMN和PT復(fù)合形成的二元連續(xù)固溶體。PMNPT的高溫時(shí)為順電柏結(jié)構(gòu)，隨著溫度的降低和PT含餐的變化，呈現(xiàn)出從網(wǎng)方到三方的鐵電桶變化。在PT含量為30％35％范圍內(nèi)存在準(zhǔn)同型相界(MP

4、B)，PT含量低于MPB者為三方結(jié)構(gòu)，高于相界者為四方結(jié)構(gòu)，在相界處，三方、單斜、正交和四方等多相結(jié)構(gòu)共存。在MPB附近區(qū)域的PMNPT具有優(yōu)異的性能，因此一商足人們關(guān)注的焦點(diǎn)及研究熱點(diǎn)。本文主要采用磁控濺射的方法，通過(guò)使用不同的緩沖層(如鎳酸鑭，鈷酸鍶鑭)，分別在Si和PffTi／Si02／Si襯底上制備了PMN026PT薄膜。通過(guò)優(yōu)化緩沖層的制備工藝，包括改變襯底與靶的距離、功率、氣氛、雎強(qiáng)、沉積溫度和濺射時(shí)間等，得劍了純鈣鈦礦結(jié)構(gòu)

5、的擇優(yōu)取向薄膜。我們分別從結(jié)構(gòu)和性能兩個(gè)方面對(duì)PMN一026PT薄膜進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。在結(jié)構(gòu)方面，在LNO／Si和LSCO／Pt／Ti／Si02／Si襯底上分別得到了(110)和(too)擇優(yōu)敬向的薄膜。在性能方麗，分別從介電、鐵電、熱釋電和光學(xué)四個(gè)方而進(jìn)行了深入研究并得到了4一系列重要的性能參數(shù)。在LNO／Si樹(shù)底上，我們分析了村底溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響。存生長(zhǎng)溫度為500。C時(shí)，PMN—PT薄膜具有更為均勻致密的表面結(jié)構(gòu)和更大的