版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、LSMCD(Liquid Source Misted Chemical Deposition)技術(shù)是一種新型的制備鐵電薄膜的技術(shù),它繼承了甩膠工藝的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)又有效地解決了甩膠工藝的缺點(diǎn),因而是一種較MOD和Sol-Gel工藝先進(jìn)的薄膜制備技術(shù).該文詳細(xì)介紹了LSMCD技術(shù)的基本原理和設(shè)備改進(jìn).LSMCD基本原理為:將先體溶液以一定比例用溶劑稀釋成為初始溶液,放入霧化容器中,然后采用超聲霧化產(chǎn)生微米級(jí)或次微米級(jí)尺寸的氣霧;再由載氣將氣霧
2、引入沉積室內(nèi),沉積在基片上;然后在沉積室中進(jìn)行預(yù)熱處理;重復(fù)此過(guò)程直至膜達(dá)到所需厚度,最后再進(jìn)行退火處理.我們依據(jù)現(xiàn)有的設(shè)備水平和可達(dá)到的改進(jìn)能力,設(shè)計(jì)并改進(jìn)了設(shè)備以實(shí)現(xiàn)LSMCD技術(shù),經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗(yàn)證明該設(shè)備能夠正常工作.最終我們采用LSMCD技術(shù),以MOD工藝先體溶液稀釋為初始溶液,制備了PLT(鑭鈦酸鉛)鐵電薄膜,通過(guò)XRD分析,制備的薄膜具有鈣鈦礦相結(jié)構(gòu).LSMCD技術(shù)制備PLT鐵電薄膜的最佳熱處理工藝為:預(yù)處理300℃,保溫10
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- lsmcd技術(shù)制備plt鐵電薄膜的退火工藝研究
- PLT鐵電薄膜的LSMCD工藝制備及其性能的研究.pdf
- RF磁控濺射及LSMCD法制備鐵電薄膜的研究.pdf
- 鐵電薄膜制備方法的研究.pdf
- PLT熱釋電薄膜材料的研究.pdf
- 鐵電薄膜制備及新型鐵電存儲(chǔ)器研究.pdf
- 多層鐵電薄膜的制備及其電性能研究.pdf
- PZT鐵電薄膜的溶膠-電霧化制備研究.pdf
- PZT鐵電薄膜的制備與研究.pdf
- PZT鐵電薄膜的制備與性能研究.pdf
- PHT鐵電薄膜的制備與性能研究.pdf
- PLZT鐵電電光薄膜制備工藝研究.pdf
- PSTT鐵電薄膜的制備和性能研究.pdf
- PST鐵電薄膜的制備及性能研究.pdf
- 鐵電薄膜移相器的設(shè)計(jì)與制備研究.pdf
- 鐵電薄膜與組分梯度鐵電薄膜的性能研究.pdf
- 鐵電與鐵氧體薄膜的制備及性能研究.pdf
- 馳豫鐵電薄膜的制備與性能研究.pdf
- BTO基鐵電薄膜的制備與介電性能研究.pdf
- NaCl襯底上鐵電薄膜的制備及鐵電陶瓷織構(gòu)化的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論