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文檔簡介
1、本論文探討了SBN60薄膜的溶膠-凝膠(Sol-Gel)法以及脈沖激光沉積(PLD)法生長技術及其原理.在Sol-Gel法制備中,分別用NbCl<,5>,KOH和Nb(OC<,2>H<,5>)<,5>作為Nb醇鹽的先驅(qū)物制備出SBN60前驅(qū)溶液,隨后在1000℃的退火溫度下,在Si(100)與MgO(001)襯底上生長出高度C軸擇優(yōu)取向的SBN60鐵電薄膜.用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、二次離子質(zhì)譜(SIMS)、受激
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