鐵酸鉍與P(VDF-TrFE)鐵電薄膜的制備及性能研究.pdf

1、復旦大學博士學位論文鐵酸鉍與P(VDFTrFE)鐵電薄膜的制備及性能研究姓名：劉驍兵申請學位級別：博士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：江安全20120331復旦大學博士學位論文摘要入的方法，可明顯改善薄膜的極化保持性能。得出了薄膜漏電流密度的大小可顯著影響電荷補償作用和極化保持性能的結(jié)論，證明了通過電荷注入機制來改善薄膜保持性能的科學性。二、為了提高P(VDFTrFE)有機鐵電薄膜存儲器的擦寫速度、降低擦寫電壓。我們采用Spinco

2、ating方法制備了P(VDF—TrFE)薄膜，采用串聯(lián)等效電容電路模型對薄膜的電疇翻轉(zhuǎn)特性進行了分析，從電疇微觀極化翻轉(zhuǎn)過程提出問題的解決方案。主要結(jié)果如下：1、發(fā)現(xiàn)P(VDFTrFE)薄膜較高的矯頑電壓很大程度上是薄膜中非鐵電相及界面層形成的等效非鐵電電容分壓的結(jié)果。串聯(lián)等效電容模型的方法可以排除薄膜中非鐵電相和界面層的干擾因素，得到薄膜的等效鐵電電容和本征的矯頑電壓。通過分析不同速度的電疇翻轉(zhuǎn)過程，證明了等效非鐵電電容會隨測試脈沖

3、頻率的增大而減小，從而導致了使用高頻電壓脈沖測量時薄膜矯頑電壓的增大和剩余極化的減小。2、在采用等效電路提取薄膜等效鐵電電容的基礎上，通過平行板電容器模型在無需求得等效鐵電層厚度的情況下得到計算薄膜本征矯頑電場的方法，通過比較不同厚度的P(VDF—TrFE)薄膜本征矯頑電場得到了與理論計算相近的結(jié)果。以上模型能夠定量地分析鐵電薄膜中非鐵電成分的含量及其對薄膜電學性能的影響，解決了現(xiàn)有測試分析手段無法定量表征界面非鐵電層電容的困難。關鍵詞