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文檔簡(jiǎn)介
1、MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)在傳感器領(lǐng)域有著諸多應(yīng)用。其中,MEMS電容式加速度計(jì)是MEMS領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)化的一類傳感器,正廣泛應(yīng)用于汽車電子和消費(fèi)電子領(lǐng)域。低成本、高性能的加速度傳感器及其系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)提高其在MEMS市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力具有重要意義。
本文為實(shí)現(xiàn)單片集成加速度計(jì),分別從工藝、電路和集成開(kāi)發(fā)環(huán)境三個(gè)方面分析和總結(jié)出相應(yīng)的關(guān)鍵問(wèn)題。首先設(shè)計(jì)了與CMOS工藝兼容的加工工藝進(jìn)行
2、加速度計(jì)工藝設(shè)計(jì),采用post-CMOS工序,并使用SiC作為結(jié)構(gòu)層,實(shí)現(xiàn)低成本且易于與電路集成,具有耐高溫特性;其次,根據(jù)工藝特征,建立連續(xù)時(shí)間的電容-電壓檢測(cè)電路,將載波頻率調(diào)至330kHz,減小噪聲和寄生電容,有效提高測(cè)量微弱信號(hào)的靈敏度;然后,建立PSpice與Matlab、SUGAR與ANSYS數(shù)據(jù)交互,設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)交互用戶界面,并建立加速度計(jì)開(kāi)環(huán)模型,實(shí)現(xiàn)加速度計(jì)系統(tǒng)級(jí)仿真;最后,對(duì)設(shè)計(jì)的加速度計(jì)進(jìn)行仿真驗(yàn)證并分析結(jié)果。
3、 論文工作的主要成果體現(xiàn)在:
(1)采用表面微加工的post-CMOS工藝進(jìn)行加速度計(jì)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)與CMOS工藝兼容和低成本;同時(shí)使用SiC作為結(jié)構(gòu)層,SiGe作為犧牲層,ClF3作為刻蝕劑干法刻蝕,提高了耐高溫特性,增強(qiáng)了刻蝕選擇比。
(2)由于所需要檢測(cè)的信號(hào)為微弱信號(hào),采用連續(xù)時(shí)間的電壓-電容檢測(cè)電路,降低了低頻噪聲和寄生電容;同時(shí)采用330kHz載波信號(hào)將信號(hào)調(diào)至高頻,再進(jìn)行解調(diào),降低了閃爍噪聲和熱噪聲,采用
4、雙路差分電容放大電路,減小寄生電容影響,測(cè)量結(jié)果提高了靈敏度。
(3)針對(duì)相關(guān)工藝參數(shù),使用Matlab中的Simulink對(duì)加速度計(jì)建立動(dòng)力學(xué)模型,利用Python實(shí)現(xiàn)Matlab輸出數(shù)據(jù)向PSpice軟件的傳輸,實(shí)現(xiàn)加速度計(jì)的聯(lián)合仿真,具有普遍適用性,同時(shí)生成數(shù)據(jù)處理的用戶界面的可執(zhí)行程序,方便移植和使用。
最后,對(duì)本文設(shè)計(jì)的電容式加速度計(jì)進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真,并對(duì)仿真結(jié)果中的靈敏度、線性度、帶寬等參數(shù)進(jìn)行特性分析。通
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