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1、采用傳統(tǒng)陶瓷制備工藝制備了0.94(K0.5Na0.5)NbO3-0.06LiNbO3無(wú)鉛壓電陶瓷,探討了制備工藝尤其是燒結(jié)溫度對(duì)0.94(K0.5Na0.5)NbO3-0.06LiNbO3無(wú)鉛壓電陶瓷結(jié)構(gòu)和性能的影響。XRD分析結(jié)果表明,在1060~1090℃所研究的燒結(jié)溫度范圍內(nèi),陶瓷為單一鈣鈦礦結(jié)構(gòu),當(dāng)燒結(jié)溫度為1060℃時(shí),陶瓷為四方相結(jié)構(gòu),當(dāng)燒結(jié)溫度為1070~1090℃時(shí),陶瓷轉(zhuǎn)變?yōu)檎幌嗪退姆较喙泊娴臓顟B(tài)。顯微形貌分析顯示
2、,隨著燒結(jié)溫度的增加,陶瓷的晶粒逐漸增大,當(dāng)燒結(jié)溫度為1080℃時(shí),陶瓷具有最優(yōu)的顯微形貌:晶粒尺寸較為均勻,平均粒度約為10μm。研究還發(fā)現(xiàn),隨著燒結(jié)溫度的增加,陶瓷的居里溫度Tc逐漸升高,在1080℃達(dá)到最大值494℃后開(kāi)始降低,而壓電常數(shù) d33、平面機(jī)電耦合系數(shù) Kp和厚度機(jī)電耦合系數(shù) Kt先逐漸增大,介電損耗tanδ則先減小,當(dāng)燒結(jié)溫度為1080℃時(shí),表現(xiàn)出最好的電學(xué)性能,d33為208pC/N、Kp為0.39、Kt為0.36
3、、tanδ為0.019。而進(jìn)一步升高燒結(jié)溫度,陶瓷的電學(xué)性能則開(kāi)始降低。
研究了K/Na比的變化對(duì)0.94(KxNa1-xNbO3)-0.06LiNbO3陶瓷結(jié)構(gòu)和性能的影響。XRD分析結(jié)果表明,在0.40≤x≤0.60范圍內(nèi),陶瓷為單一鈣鈦礦結(jié)構(gòu),并且均同時(shí)具有正交對(duì)稱性和四方對(duì)稱性,隨著x的增加,四方相含量逐漸減少,正交相含量逐漸增多。顯微形貌分析顯示,隨著x的增加,陶瓷的晶粒先逐漸增大,至x=0.50時(shí)晶粒最大,之后x的
4、增加導(dǎo)致晶粒逐漸減小。隨著x的增加,陶瓷的居里溫度Tc總體向高溫方向移動(dòng),集中在465~494℃之間,而壓電常數(shù)d33、平面機(jī)電耦合系數(shù)Kp和厚度機(jī)電耦合系數(shù)Kt均先增大后減小,當(dāng)x=0.45時(shí),具有最優(yōu)的壓電性能,d33、Kp和Kt分別為235pC/N、0.42和0.39。
研究了添加過(guò)量的Na對(duì)0.94(K0.5Na0.5+xNbO3)-0.06LiNbO3陶瓷結(jié)構(gòu)和性能的影響。XRD分析結(jié)果表明,在所研究的范圍內(nèi)(0≤x
5、≤0.02),陶瓷具有正交相和四方相共存的結(jié)構(gòu),隨著x的增加,四方相成分減弱,正交相成分增強(qiáng)。顯微形貌分析顯示,陶瓷的晶粒隨著x的增加先減小后增大。隨著x的增加,陶瓷的居里溫度Tc總體向低溫方向移動(dòng),集中在477~494℃之間,而陶瓷的壓電常數(shù)d33、平面機(jī)電耦合系數(shù)Kp、厚度機(jī)電耦合系數(shù)Kt和相對(duì)介電常數(shù)εr逐漸增大,當(dāng)x=0.01時(shí),陶瓷具有最佳的電學(xué)性能,d33為255pC/N,Kp為0.46,Kt為0.42和εr為850,但隨著
6、x的進(jìn)一步增加,陶瓷的電學(xué)性能開(kāi)始減小。
研究了燒結(jié)助劑ZnO的添加對(duì)0.94(K0.5Na0.5NbO3)-0.06LiNbO3-xZnO陶瓷結(jié)構(gòu)和性能的影響。XRD分析結(jié)果表明,在以質(zhì)量百分比摻雜范圍內(nèi)(0≤x≤0.01),陶瓷均能形成單一的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),當(dāng)x≤0.005時(shí),陶瓷屬于正交相和四方相共存,而x≥0.0075時(shí),陶瓷轉(zhuǎn)變?yōu)閱我坏恼幌?。顯微形貌分析顯示,隨著x的增加,陶瓷的晶粒先減小后增大。隨著x的增加,陶瓷的正
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