精確定位技術(shù)在集成電路失效分析中的應(yīng)用研究.pdf

1、精確定位技術(shù)在集成電路失效分精確定位技術(shù)在集成電路失效分析中析中的應(yīng)用研究應(yīng)用研究ResearchofPrecisionLocalizationTechnologyinICFailureAnalysis領(lǐng)域：集成電路工程研究生：孔云龍指導(dǎo)教師：謝生副教授企業(yè)導(dǎo)師：郭煒高級工程師天津大學(xué)電子信息學(xué)院二零一六年十一月I摘要集成電路失效分析是通過對失效芯片的分析研究，找出失效機理，最終查明造成失效的根本原因，進(jìn)而提出改進(jìn)措施，提高產(chǎn)品的良率和

2、可靠性。在集成電路（IC）產(chǎn)品的設(shè)計、生產(chǎn)、測試以及應(yīng)用等相關(guān)環(huán)節(jié)中，都離不開失效分析。IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展到當(dāng)今階段，失效分析技術(shù)已成為任何一座先進(jìn)的IC代工廠中不可或缺的研究、分析工具。隨著芯片應(yīng)用功能的多樣化，集成度越來越高，制造工藝中的最小線寬也越來越小，對于失效分析能力的要求越來越高，如何對失效點進(jìn)行精確地定位則是整個失效分析的關(guān)鍵所在。本文首先對失效分析的發(fā)展歷史及技術(shù)趨勢進(jìn)行了概述，然后對失效分析中用到的先進(jìn)失效分析技術(shù)，特別是定

3、位分析的技術(shù)方法進(jìn)行詳細(xì)分析。例如，掃描電子顯微鏡、聚焦式離子束顯微鏡、光發(fā)射顯微鏡(PhotoEmissionMicroscopy)和光束誘導(dǎo)電阻變化(OpticalBeamInducedResistanceChange)技術(shù)。最后，結(jié)合實際生產(chǎn)中的具體應(yīng)用，對連接栓測試結(jié)構(gòu)、閘氧化層結(jié)構(gòu)（GateOxideIntegrity）以及長距離金屬互連測試結(jié)構(gòu)等具有重復(fù)特征產(chǎn)品的失效定位問題進(jìn)行深入研究。在傳統(tǒng)定位技術(shù)的基礎(chǔ)上，詳述聚焦離子