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1、精確定位技術(shù)在集成電路失效分精確定位技術(shù)在集成電路失效分析中析中的應(yīng)用研究應(yīng)用研究ResearchofPrecisionLocalizationTechnologyinICFailureAnalysis領(lǐng)域:集成電路工程研究生:孔云龍指導(dǎo)教師:謝生副教授企業(yè)導(dǎo)師:郭煒高級工程師天津大學(xué)電子信息學(xué)院二零一六年十一月I摘要集成電路失效分析是通過對失效芯片的分析研究,找出失效機理,最終查明造成失效的根本原因,進(jìn)而提出改進(jìn)措施,提高產(chǎn)品的良率和
2、可靠性。在集成電路(IC)產(chǎn)品的設(shè)計、生產(chǎn)、測試以及應(yīng)用等相關(guān)環(huán)節(jié)中,都離不開失效分析。IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展到當(dāng)今階段,失效分析技術(shù)已成為任何一座先進(jìn)的IC代工廠中不可或缺的研究、分析工具。隨著芯片應(yīng)用功能的多樣化,集成度越來越高,制造工藝中的最小線寬也越來越小,對于失效分析能力的要求越來越高,如何對失效點進(jìn)行精確地定位則是整個失效分析的關(guān)鍵所在。本文首先對失效分析的發(fā)展歷史及技術(shù)趨勢進(jìn)行了概述,然后對失效分析中用到的先進(jìn)失效分析技術(shù),特別是定
3、位分析的技術(shù)方法進(jìn)行詳細(xì)分析。例如,掃描電子顯微鏡、聚焦式離子束顯微鏡、光發(fā)射顯微鏡(PhotoEmissionMicroscopy)和光束誘導(dǎo)電阻變化(OpticalBeamInducedResistanceChange)技術(shù)。最后,結(jié)合實際生產(chǎn)中的具體應(yīng)用,對連接栓測試結(jié)構(gòu)、閘氧化層結(jié)構(gòu)(GateOxideIntegrity)以及長距離金屬互連測試結(jié)構(gòu)等具有重復(fù)特征產(chǎn)品的失效定位問題進(jìn)行深入研究。在傳統(tǒng)定位技術(shù)的基礎(chǔ)上,詳述聚焦離子
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