熱傳導(dǎo)型半導(dǎo)體瞬態(tài)問題的數(shù)值解法和分析.pdf

1、　　隨著現(xiàn)代化技術(shù)的日益提高,半導(dǎo)體器件的數(shù)值模擬對于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展具有十分重要的意義,本文所研究的熱傳導(dǎo)型半導(dǎo)體瞬態(tài)問題的數(shù)學(xué)模型為：第一個(gè)方程為橢圓型的電子位勢方程,第二和第三個(gè)分別為關(guān)于電子和空穴濃度的對流擴(kuò)散方程,最后一個(gè)為關(guān)于溫度的熱傳導(dǎo)方程,這里未知函數(shù)為{ψ,e,p,T},電子位勢通過電場強(qiáng)度在電子、空穴濃度和熱傳導(dǎo)方程中出現(xiàn),并和相應(yīng)的初邊值條件構(gòu)成封閉系統(tǒng),其中α=q/ε,q和ε均為正的常數(shù),分別表示電子負(fù)荷和介

2、電常數(shù),Ds(x)(s=e.p)為擴(kuò)散系數(shù),μs(x)(s=e,p)為遷移率,二者之間的關(guān)系為Ds(x)=UTμs(x),其中UT為熱量伏特,N(x)=ND(x)-NA(x)為給定函數(shù),ND(x)和NA(x)分別是施主和受主雜質(zhì)濃度；當(dāng)x接近p-n結(jié)時(shí),N(x)的變化是非常快的,R(e,p,T)是電子和空穴在考慮溫度影響下的復(fù)合率。
　　給定初始條件為：
　　e(z,0)=e0(x),p(x,0)=p0(x),T(x,0)=