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1、本文報(bào)道了以單晶Cu<,2>(C<,6>H<,5>COO)<,4>(C<,9>H<,7>N)<,2>為敏感材料通過一定的工藝方法制備銅離子選擇性電極的研究情況。目前這種銅離子敏感電極尚未見到相關(guān)報(bào)道。 對該電極進(jìn)行了響應(yīng)性能的測試，考察電極性能的各個(gè)方面，均有較好的性能參數(shù)值。通過測試，得出電極的Nernst響應(yīng)范圍是1.0～1.0×10<'-5> mol.L<'-1>Cu<'2+>(NO<,2>)<,2>，相關(guān)系數(shù)R<'2>=
2、0.9996，檢測下限為8.5×10<'-6> mol·L<'-1>。測試十種常見金屬離子作干擾離子時(shí)電極的選擇性系數(shù)K<'Pot><,Cu,干擾>，選擇性系數(shù)的對數(shù)值大都是-2～-3，表明該電極對銅離子選擇性較好。電極響應(yīng)時(shí)間在1.0～1.0×10<'-5> mol.L<'-1>各溶液小于1min。電極具有良好的重現(xiàn)性和較好的穩(wěn)定性。電極的pH適用范圍pH2.5～5.5。 研究電極的交流阻抗行為(EIS)。從阻抗譜圖高頻區(qū)和低
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