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1、分子勢(shì)能函數(shù)是原子與分子物理學(xué)的重要研究方向之一。分子勢(shì)能函數(shù),一方面是在整個(gè)空間范圍內(nèi)對(duì)分子性質(zhì)的完全描述,即描述分子的能量、幾何、力學(xué)與光譜性質(zhì),另一方面也是核運(yùn)動(dòng)的勢(shì)能函數(shù),是研究原子分子碰撞與反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的基礎(chǔ)。 本論文采用Gaussian03程序包,分別運(yùn)用密度泛函B3LYP、B3P86和二次組態(tài)相關(guān)QCISD方法,在多種基組水平上對(duì)基態(tài)SiN、SiH、NH、H2的鍵長(zhǎng)進(jìn)行了優(yōu)化計(jì)算,與實(shí)驗(yàn)值作了對(duì)比,選取最優(yōu)方法和基組
2、,對(duì)SiN、SiH、NH、H2進(jìn)行勢(shì)能掃描計(jì)算,并在量子力學(xué)從頭計(jì)算和微觀過(guò)程可逆性原理的基礎(chǔ)上得出了它們的基態(tài)電子狀態(tài)和正確的離解極限,用正規(guī)方程擬合出兩體項(xiàng)的勢(shì)能函數(shù)參數(shù),導(dǎo)出相應(yīng)的力常數(shù)與光譜數(shù)據(jù)。結(jié)果表明,掃描數(shù)據(jù)和擬合數(shù)據(jù)符合得非常好。對(duì)于三原子分子體系,采用B3P86和QCISD方法,分別對(duì)Si2N、NH2、SiH2進(jìn)行幾何優(yōu)化理論計(jì)算,得到了它們穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的幾何構(gòu)型、能量、諧振頻率、力常數(shù),結(jié)果與實(shí)驗(yàn)值符合得很好。
3、應(yīng)用群論和微觀過(guò)程可逆性原理,得到了Si2N、NH2、SiH2分子的基電子狀態(tài),推導(dǎo)出了正確的離解極限,在此基礎(chǔ)上利用多體項(xiàng)展式方法得到了Si2N、NH2、SiH2分子的解析勢(shì)能函數(shù)和等值勢(shì)能圖,該勢(shì)能函數(shù)正確反映了它們的構(gòu)型與能量變化。 研究第一激發(fā)態(tài)的勢(shì)能函數(shù)已成為國(guó)內(nèi)外的前沿課題,本文還采用SAC/SAC-CI方法,在D95、D95(d)、6-311G、6-311G(d)等基組上對(duì)BeH、NH等典型分子的第一激發(fā)態(tài)進(jìn)行理論
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