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文檔簡介
1、鈉離子電池(SIBs)因具有原料儲量豐富,價格低廉,安全性高等優(yōu)點而備受青睞。其中尋找一種無毒、低成本、高比容量、結構穩(wěn)定的正極材料是發(fā)展SIBs必經(jīng)之路。本論文以此為出發(fā)點,對釩酸鈉及鐵氰化鐵兩種SIBs正極材料進行研究。
氧化物型正極材料釩酸鈉(NaV6O15)因具備較大的Na+脫嵌空隙和優(yōu)異的電子電導而受到廣泛關注。為了進一步改善其電化學性能,本研究一方面通過PVP調控形貌合成NaV6O15納米棒,另一方面采用一步水熱法
2、制備NaV6O15/C復合電極材料。另一種含氰根配位的普魯士藍類似物(FeFe(CN)6)因具有獨特的三維開放式框架結構,較高的理論比容量,合成方法簡單等優(yōu)勢而成為新型SIBs正極材料。本研究對比了溶液共沉淀法和單一源沉淀法制備不同質量的FeFe(CN)6電化學性能,并探討Na+濃度對其影響。主要取得如下研究成果:
1.采用PVP輔助水熱法成功制備NaV6O15納米棒,探討了PVP含量對NaV6O15形貌及性能的影響。其中添加
3、0.1 g PVP可獲得長1~2 um,寬~100 nm尺寸均一的納米棒,且電化學性能最佳:在20 mA g-1、1.5-3.8V下,首次放電比容量為157mAhg-1,20次循環(huán)后的容量保持率為71.38%,即使在200 mA g-1高倍率下,仍能釋放121 mAh g-1。此外,降低放電深度,在2.0-3.8V內測得2.69/2.40V氧化/還原峰,且樣品的放電比容量為113 mAh g-1,循環(huán)50次后的容量保持率為86.55%,
4、表現(xiàn)出較好的倍率循環(huán)性和高比容量性。交流阻抗法計算Na+循環(huán)前后的擴散速率分別為3.46×10-12和2.71×10-12 cm2s-1,并結合NaV6O15的態(tài)密度計算,結果表明NaV6O15具有較好的離子電導和電子電導。
2.以葡萄糖為碳源,采用一步水熱法制備500 nm NaV6O15/C納米棒復合材料,探討了C含量對材料性能的影響。電化學性能隨C含量的增加先增后減,當添加15.67%C時性能最佳:樣品包覆一層4nm均勻
5、厚度的無定型碳層,該碳層不僅抑制了NaV6O15晶粒的長大,還提高了它的電子電導率。在20、200 mA g-1下,首次放電比容量分別為169.03、145.8 mAh g-1,且?guī)靷愋示?0%以上。
3.以FeCl3、K3Fe(CN)6為原料,采用溶液共沉淀法制備500 nm FeFe(CN)6納米顆粒。盡管在高倍率(≥5 C)下的容量僅為理論比容量的19%,但0.1 C倍率時的首次放電比容量為115.467 mA h
6、g-1,200次循環(huán)后的容量保持率為63%,表現(xiàn)出優(yōu)異的循環(huán)性能。而以K3Fe(CN)6為單離子源,Na2S2O3輔助合成150-250nm,晶格較完美的FeFe(CN)6納米立方塊,在0.1C下的充/放電比容量為125.12/124.72mAhg-1,首次庫倫效率高達95.6%,且以0.5C倍率循環(huán)100次后的容量保持率為94%。5C、10C及20 C倍率下的比容量分別為103.24、100.81和85.87 mAhg-1,表現(xiàn)出優(yōu)良
7、的倍率循環(huán)性能。此外增大Na+濃度有利于提高FeFe(CN)6的放電容量,低倍率下最高可達134.689 mAh g-1。
4.采用第一性原理和非原位XRD探討Fe3+在3d軌道的充放電機制。循環(huán)伏安曲線中3.68/3.46 V氧化還原峰對應與C相鄰的低自旋FeLS2+/FeLS3+嵌鈉反應:FeHS3+[FeLS3+(CN)6](→)NaFeHS3+[FeLS2+(CN)6],而3.08/2.81 V峰則對應與N相連的高自旋
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