化學浴沉積制備金屬硫族化合物光電功能薄膜.pdf

1、該文主要探索通過一種低能、環(huán)境友好的合成路線—化學浴沉積,制備金屬硫族化合物光電功能薄膜,并對所獲得的薄膜樣品的結構、形貌、光學性質進行表征.最近,反鐵磁性材料硫化錳(MnS),由于可以作為一種潛在的太陽能電池的窗口或緩沖材料,并且可以與Cd和Zn形成稀磁半導體材料(Zn,Mn)S和(Cd,Mn)S等獨特性質而成為研究的熱點.室溫下,我們通過化學浴沉積在普通玻璃襯底上制備出晶態(tài)的γ-MnS薄膜,并且通過改變反應條件得到了(002)取向、

2、結晶良好的薄膜.在實驗基礎上,用相關的理論探討了實驗中可能的化學反應.確定了實驗參數主要通過控制金屬硫化物形成可得到的自由金屬離子濃度[M]和硫族離子濃度,即溶度積被超過的程度,達到對薄膜的影響.將通過化學浴沉積在不同條件下所制備γ-MnS薄膜利用紫外分光光度計進行測量,并且通過樣品的透射光譜與反射光譜計算了不同條件下樣品的光學帶隙寬度,所制備樣品中光學帶隙寬度最大為3.55eV,最小為3.07eV.另外,通過MnS薄膜的變溫光致發(fā)光光