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文檔簡介
1、摘要半導體制造工業(yè)作為當今信息世界的核心和物質基礎,已經(jīng)成為國民經(jīng)濟中重要的組成部分,微光刻技術又是微電子工業(yè)中關鍵技術的驅動者,光刻分辨率和套刻精度的提高直接導致微電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長。微光刻技術作為衡量半導體制造技術程度的重要標準,成為推動半導體制造業(yè)發(fā)展的重要技術手段。本課題是基于 NIKON 公司生產(chǎn)的 NSR2005i9c 步進式光刻機,對 0.45um 光刻工藝進行深入研究,分析影響亞微米光刻質量的關鍵因素,同時通過實驗測量我
2、校微細加工中心 NSR2005i9c 步進式光刻機的多項工藝參數(shù)。關鍵字:NSR2005i9c,步進式光刻機,亞微米光刻目錄第 1 章 引言..................................................................................................................11.1 研究背景...........................
3、..................................................................................11.2 光刻技術的國內(nèi)外現(xiàn)狀.....................................................................................11.2.1 傳統(tǒng)光刻的極限........................
4、................................................................21.2.2 下一代光刻技術........................................................................................31.3 本論文的研究意義和主要內(nèi)容....................................
5、.....................................6第 2 章 光刻基礎理論..................................................................................................72.1 光刻工藝基礎理論...........................................................
6、..................................72.1.1 光刻工藝原理...........................................................................................72.1.2 關鍵尺寸.......................................................................
7、............................72.1.3 光譜...........................................................................................................72.1.4 分辨率..................................................................
8、.....................................82.1.5 焦深...........................................................................................................82.1.6 套準精度........................................................
9、...........................................92.1.7 工藝寬容度.............................................................................................102.1.8 光刻膠及其物理特性.......................................................
10、......................102.1.9 分辨率增強技術.....................................................................................122.2 光刻工藝基本流程....................................................................................
11、.......152.2.1 氣相成底膜.............................................................................................162.2.2 涂光刻膠...............................................................................................
12、..162.2.3 軟烘.........................................................................................................162.2.4 對準及曝光..........................................................................................
13、...162.2.5 曝光后烘焙..............................................................................................172.2.6 顯影....................................................................................................
14、......172.2.7 堅膜.........................................................................................................182.2.8 顯影后檢查......................................................................................
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