4H-SiC結勢壘肖特基二極管制備及常溫離子注入研究.pdf

1、作為第三代半導體材料的代表，SiC單晶具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速率大、臨界擊穿場強高和熱導率高等優(yōu)勢，可以用于制備耐高溫、散熱好、耐高壓、高頻大功率器件。目前，SiC單晶已經被廣泛應用于肖特基二極管(SBD)、pin二極管以及結勢壘肖特基二極管(JBS)等功率器件的制備。在這些功率器件中，SiC JBS二極管具有SBD二極管和pin管兩者的優(yōu)勢，一直是研究的熱點之一。目前SiC JBS二極管研究主要集中在離子注入和結終端技術方面。<

2、br>　　本文基于模擬的方法，研究了n型4H-SiC材料中Al注入結深、濃度分布與注入角度、緩沖層、能量和劑量的關系，優(yōu)化了注入深度500nm，濃度均勻分布的注入條件，并進行了常溫注入實驗。
　　注入完成后，進一步探討了保護方式、溫度等對SiC晶圓激活效果，注入條件和退火保護方式對SiC表面粗糙度的影響。在激活完成后，在材料上生長了一層Ni并進行退火，分析了激活濃度對Ni與Al注入形成的p-SiC的歐姆接觸的影響。實驗結果表明以4

3、°偏角注入，用100nmSiO2作為緩沖層進行注入，以1750℃用SiC上下夾片保護進行退火，可以得到表面粗糙度為0.862nm，激活濃度為4.25×1019 cm-3的p-SiC。1050℃-2min的歐姆接觸退火條件為最優(yōu)條件，制備出比接觸電阻率為4.10mΩ·cm2的歐姆接觸。輕微的過刻蝕有利于提高肖特基接觸性能。同時通過對場板長度的優(yōu)化，對場限環(huán)參數(shù)的模擬結合離子注入制備出了開啟電壓在1V、擊穿電壓1300V、理想因子1.49、