高壓4H-SiC結(jié)勢壘肖特基二極管的研究.pdf

1、寬禁帶半導體碳化硅以其優(yōu)越的性能成為功率電子器件的理想材料且得到了廣泛的研究。4H-SiC JBS(Junction Barrier Schottky Diode)二極管結(jié)合了PiN二極管和肖特基勢壘二極管SBD(Schottky Barrier Diode)兩者的優(yōu)勢,具有小開啟電壓、低反向漏電流、高擊穿電壓和高開關(guān)速度等特性,因此在高壓和高速領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。
　　 圍繞高壓4H-SiC JBS器件的設計,本文利用二維

2、半導體模擬軟件ISE-DESSIS進行了結(jié)終端技術(shù)和新型結(jié)構(gòu)的研究:
　　 由于受到電場集中效應的影響,器件的耐壓將會嚴重下降,因此必須使用相應的結(jié)終端技術(shù)。本文討論了常用的平面結(jié)終端技術(shù),包括場板、場限環(huán)、結(jié)終端擴展等技術(shù)來改善耐壓,分析了各種技術(shù)的工作機理及其結(jié)構(gòu)參數(shù)對擊穿電壓的影響；在此基礎上,設計了將三種技術(shù)結(jié)合使用的一種復合型終端技術(shù),結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)改善了器件擊穿電壓的可靠性和穩(wěn)定性。
　　 在器件的外延層中引