肖特基二極管

1、肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)?SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但

2、其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管（UFRD）。目前UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1

3、MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年，SBD已取得了突破性的進(jìn)展，150V和200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。肖特基二極管

4、的封裝及外形肖特基二極管的封裝及外形?肖特基二極管的封裝采用TO220.TO3P封裝形式和表面封裝形式。在TO220封裝形式中，據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)又可分為單管和對(duì)管兩種，對(duì)管又可分為共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管和串聯(lián)對(duì)管三種形式。如圖所示。?圖:肖特基二極管的引出腳方式(a)共陽(yáng)(b)共陰(c)、(d)串聯(lián)圖所示(a)為共陽(yáng)對(duì)管，即兩管的正極相連。(b)為共陰對(duì)管，即兩管的負(fù)極相連。(c)、(d)為串聯(lián)對(duì)管。肖特基二極管的外形如圖所示。肖特基二極管應(yīng)用

5、肖特基二極管應(yīng)用?SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBDTTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用。除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）

6、、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等。肖特基二極管的檢測(cè)肖特基二極管的檢測(cè)?肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。1性能比較下表列出了肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管、快恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能