4H-SiC肖特基二極管在功率因數(shù)校正電路中的應(yīng)用研究.pdf

1、寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC因其禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、反向恢復(fù)特性好等優(yōu)異特性，成為繼Si、GaAs之后的新一代半導(dǎo)體材料。由SiC材料制造的二極管(SiC SBD)可以在高溫、高壓下工作，且具有正溫度系數(shù)，反向恢復(fù)特性好等優(yōu)點(diǎn)，有效解決了大功率CCM APFC電路中快恢復(fù)Si二極管開關(guān)損耗大，很難實(shí)現(xiàn)高頻化的問題。
　　 本文對(duì)SiC SBD的特性、功率因數(shù)的定義和計(jì)算、Boost APFC電路中開關(guān)損耗做了詳盡的分析和

2、討論，介紹了各種PFC技術(shù)的拓?fù)?、控制及控制芯片UC3854的封裝和工作原理。仿真比較了有源PFC電路和無源PFC電路，相對(duì)于無源PFC，有源PFC盡管電路結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，但電路性能有較好的改善，THD由25.2％降低到9.3％，PF值由0.9697提高到0.9957，且輸出電壓波動(dòng)減小，本文重點(diǎn)是用UC3854芯片設(shè)計(jì)了一款250W輸出的APFC電路，針對(duì)于市場上的UC3854控制的PFC都是用Si二極管實(shí)現(xiàn)的，本文使用Cree公司的Si