基于SiC肖特基二極管的PFC電路仿真研究.pdf

1、碳化硅（SiC）因其禁帶寬度大，擊穿電場(chǎng)高，熱導(dǎo)率大，電子飽和漂移速度高等優(yōu)異特性成為繼硅、鍺、砷化鎵之后的新一代半導(dǎo)體材料。SiC材料制成的二極管具有高工作溫度、高耐壓、正溫度系數(shù)，反向特性好等的特點(diǎn)，因此成為現(xiàn)今研究的熱點(diǎn)。 功率因數(shù)校正器（Power Factor Correction，簡稱PFC）電路對(duì)配電網(wǎng)的質(zhì)量也具有不可或缺的意義。在硬開關(guān)連續(xù)導(dǎo)電模式Boost變換中，升壓二極管的反向恢復(fù)會(huì)引起較大的反向恢復(fù)損耗和過

2、高的di/dt，產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾。因此，在提高功率因數(shù)的同時(shí)，提高開關(guān)管的熱穩(wěn)定性，降低電磁干擾、電壓應(yīng)力及電流應(yīng)力尤為重要。 碳化硅二極管反向電流較小及反向恢復(fù)時(shí)間接近零等方面的優(yōu)勢(shì)，對(duì)于PFC電路的研究具有深遠(yuǎn)的意義。本文介紹了SiC肖特基二極管的特性，PFC電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并基于SiC肖特基二極管對(duì)PFC電路進(jìn)行仿真。針對(duì)市場(chǎng)上應(yīng)用較多的UC3854控制的PFC電路都是基于Si的，本文主要仿真基于碳化硅的功率因數(shù)控制電路