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1、隨著電子器件的集成化程度越來越高,設(shè)備之間的傳導(dǎo)干擾,電磁輻射干擾引發(fā)了一系列的電磁兼容和設(shè)備可靠性問題,抗電磁干擾問題不容忽視。軟磁薄膜應(yīng)用于抗電磁干擾領(lǐng)域面臨兩大問題,一方面,軟磁薄膜為金屬薄膜,表面電阻率過低,容易導(dǎo)致微波阻抗失配,從而嚴(yán)重影響到器件的微波性能。另一方面,薄膜共振頻帶較窄不適用于抗電磁干擾器件寬頻帶的應(yīng)用。本論文主要提出一種基于圖形化多層結(jié)構(gòu)的軟磁薄膜。一方面,通過隔離層的引入,提高薄膜電阻率,在多層膜中實(shí)現(xiàn)高頻磁
2、響應(yīng)疊加,拓寬薄膜共振頻帶。另一方面,通過圖形化在軟磁薄膜中引入形狀各向異性,提高薄膜共振頻率。本論文結(jié)合微磁學(xué)及磁共振損耗理論,對(duì)圖形化多層薄膜進(jìn)行設(shè)計(jì)及制備,分析制備出的圖形化多層薄膜的磁損耗機(jī)理,旨在提高薄膜電阻率并達(dá)到“高頻”、“寬帶”的效果,為薄膜抗電磁干擾器件提供研究基礎(chǔ)。主要研究工作如下:
1、連續(xù)多層薄膜磁特性研究
?。?)制備FeCoB/SiO2(xnm)/FeCoSiB多層薄膜,研究隔離層對(duì)多層薄膜
3、磁特性的影響。研究結(jié)果表明,在SiO2隔離層厚度達(dá)到7nm時(shí),能夠有效隔離FeCoB層與FeCoSiB層的耦合作用,該多層薄膜的動(dòng)態(tài)磁響應(yīng)能夠明顯地觀察到獨(dú)立的雙共振峰。該結(jié)果表明,在多層膜中引入隔離層可以在各磁性層之間建立高頻磁響應(yīng)疊加模型。
?。?)制備FeNi/SiO2/FeCoSiB多層薄膜和FeNi/SiO2/FeCoB多層薄膜,研究二者磁性能。多層薄膜的動(dòng)態(tài)響應(yīng)均具有明顯雙峰,驗(yàn)證了隔離層在多層膜的各磁性層之間建立高
4、頻磁響應(yīng)疊加模型依然適用于FeNi合金。
2、連續(xù)與圖形化復(fù)合多層薄膜的磁特性研究。制備FeNi/SiO2/FeCoSiB條紋復(fù)合多層薄膜。研究表明,其微波磁譜在1.4GHz與4.8GHz具有明顯的獨(dú)立雙峰,通過調(diào)節(jié)最上層FeCoSiB條紋薄膜的厚度可實(shí)現(xiàn)對(duì)第二峰位的調(diào)控。
3、圖形化多層薄膜的磁特性研究。制備FeCoSiB條紋多層薄膜,通過不同厚度的FeCoSiB條紋薄膜組合形成多層薄膜。研究表明,F(xiàn)eCoSiB條
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