FeCo基高頻軟磁薄膜的制備與特性研究.pdf

1、近年來，隨著電子元器件向微型化、薄膜化、高頻化、集成化等方向發(fā)展，這樣就對作為電子器件基礎(chǔ)的功能材料提出了更高的要求。為適應(yīng)磁性器件的需要，具有高磁導(dǎo)率并能保持到幾百MHz甚至GHz微波頻段的軟磁薄膜成為磁性材料研究領(lǐng)域的最新熱點，它將廣泛應(yīng)用于磁記錄頭、微電感、微變壓器、電磁噪聲抑制器以及高頻磁傳感器。本文主要從研究FeCo薄膜的制備工藝、性能測試和實驗比較分析出發(fā)，來探尋軟磁薄膜高頻性能的影響因素。主要的工作有：
　　以CoN

2、bZr和NiFe作為底層，采用直流磁控濺射方法制備FeCo雙層薄膜。討論了薄膜的制備工藝如Ar氣壓和濺射功率，以及底層和FeCo厚度對雙層膜樣品的性能的影響。結(jié)果表明，CoNbZr(2nm)/FeCo(40nm)、NiFe(3nm)/FeCo(40nm)具有良好軟磁性能的性能，難易軸的矯頑力分別為ceH=3.9Oe、chH=1.8Oe和H=3.7Oe、chH=1.5Oe。并考察了傾斜沉積對薄膜磁性能的影響。傾斜沉積可以增大雙層薄膜樣品的

3、單軸各向異性，隨著傾斜入射角度的增加，kH顯著增大。當傾斜角度為30°時，kH從垂直沉積時的20Oe增加為80Oe，當傾斜角度為60°時，kH增至250Oe。
　　在Ar和O2的混合氣氛中，采用直流磁控濺射方法制備FeCoO和NiO，組成NiFe/FeCo/FeCoO、NiFe/FeCo/NiO多層膜。期待提高薄膜樣品的電阻率，面內(nèi)單軸各向異性場kH。采用短路微帶線法測試樣品的高頻磁導(dǎo)率，表明薄膜的共振頻率大于2GHz，相對起始磁