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1、蘭州大學碩士學位論文高頻軟磁薄膜電感的研究姓名:李喜玲申請學位級別:碩士專業(yè):凝聚態(tài)物理指導教師:薛德勝20090601AbstractThinfilminductorsareimportantcomponentsinmonolithicradiofrequency(RDcircuits,suchasvoltage—controlledoscillatorsCoco),lownoiseamplifiersandpassive—eleme
2、ntfiltersItwasimportantabouttheresearchesofmaterial,designofinductorsandmanufactureofdevicesInordertoincreaseinductance,operatingfrequencyandqualityfactorbutreducecapacitorloss,thethinfilminductorwaspreparedusinghi曲perme
3、abilitymaterialforconductorStaticanddynamicmagnetismsofthemagneticthinfilmwereinvestigatedAndwealsostudiedthellighfrequencyperformanceofinductorsThemainworkswereasfollow:1Thechoiceandperformanceresearchofinductormaterial
4、TheC092Zr8thinfilmofhighpermeabilitywasinvestigatedsystematicallyThroughchangingprocess,itwasshownthatC092Zr8thinfilmhadwellinplaneuniaxialanisotropyThecoerciveforceofeasyaxisandhardaxiswerebothlowerthan0203kA/mTheanisot
5、ropyfield風was24kA/mThesaturationmagnetization肋尥Was12TTherelativeinitialpermeabilityofC092Zr8couldreach4002ThedesignandpreparationofthinfilminductorsFirstlyUinductorswereresearchedtheoreticallyThen,themillimetrictheoretic
6、alinductorswerepreparedLast,microninductorsweredesignedandpreparedTheCuandC092Zr8inductorswerepreparedbyradiofrequency(r0sputteringontolOxlOxO42mm)Si02JSisubstratesTheparametersofthetwoinductorswerethesamewiththelinewidt
7、hw=150mm,spaced=275nllaandthicknesst=200nna3TheperformanceofhighpermeabilitythinfilminductorsFromtheresults,itWasshownthattheinductanceoftheC092ZrsinductorwaslargerthanthatofCuinductorwhenfrequencyfrom1MHzto110MHzAndat60
8、MHz,theinductanceoftheC092Zr8inductorwas50IxH,whichwasenhancedbyfivetimesfrom10pHoftheCuinductorThecapacitanceandqualityfactoroftheCuinductorswerealittlebitlargerthanthatoftheC092Zr8inductorItWasshownthattheinductorperfo
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