Co基軟磁薄膜的高頻性質(zhì).pdf

1、近年來，隨著電子元器件向小型化、高頻化、集成化方向發(fā)展，對作為電子器件基礎(chǔ)的材料提出了更高的要求。為了適應(yīng)磁性器什的需要，具有高磁導(dǎo)率并至GHz共振頻率的軟磁薄膜成為磁性材料研究領(lǐng)域的最新熱點(diǎn)。由于磁性薄膜在存儲材料，讀寫磁頭方面的應(yīng)用，它們的磁各向異性場和動態(tài)響應(yīng)越來越引起人們的關(guān)注。為了提高數(shù)據(jù)的存儲速率，反磁化過程被最大程度的控制，這種技術(shù)的要求導(dǎo)致了一些基礎(chǔ)磁性的研究，例如各向異性場，飽和磁化強(qiáng)度，甚至有效阻尼因子。
　　

2、 我們在室溫條件下利用射頻磁控濺射方法制備了Co-Zr薄膜。發(fā)現(xiàn)利用斜濺射的方法在Co薄膜中摻入微量的Zr元素導(dǎo)致更加良好的軟磁性能和高頻響應(yīng)，矯頑力小至1Oe，共振頻率達(dá)到4.3 GHz。我們利用自由各向異性模型定性解釋了這種優(yōu)化主要來源于Co顆粒之間的交換耦合的增大。因此，單個顆粒的磁晶各向異性場被抑制。并且，對于利用斜濺射制備的樣品來說，斜濺射誘導(dǎo)的各向異性場對樣品的靜、動態(tài)磁性起決定性囚素。也就是說，可以通過調(diào)控濺射角度來在位