鐳雕管理規(guī)范

1、5.1 鐳雕機(jī)的工藝調(diào)整：鐳射激光雕刻機(jī)雕刻效果主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行調(diào)試：5.1.1電流強(qiáng)度A.電流強(qiáng)度大，雕刻深度深、字體線條粗；B.電流強(qiáng)度小，雕刻深度淺、字體線條細(xì)；C.雕刻金屬材料時(shí)，電流強(qiáng)度大，一般在 18A 以 上 ；D.雕刻非金屬材料時(shí)，電流強(qiáng)度小，一般在 12A-16A 左 右 ， 尢 其 是 雕 刻 透 光 按 鍵 時(shí) 電 流 強(qiáng) 度 一 般都在 16A 左右。E.電流強(qiáng)度對(duì)雕刻非金屬材料有很大影響，電流太大會(huì)破壞產(chǎn)

2、品表層如：燒焦、雕刻面起泡等；太小圖案會(huì)不清晰、無(wú)深度。5.1.2焦 距A.焦距的定義：激光發(fā)光鏡頭與被雕刻面之間的垂直距離，一般為17.8-18cm 之間。B.被雕刻面離焦點(diǎn)近，激光能量大、雕刻深度深、字體線條細(xì)；C.被雕刻面離焦點(diǎn)遠(yuǎn)，激光能量小、雕刻深度淺，字體線條粗； D.雕刻金屬材料時(shí)，一般離焦點(diǎn)要近6 mm F.雕刻非金屬材料時(shí)，一般可偏離焦點(diǎn)，尢其是雕刻透光按鍵時(shí)，一定要偏離焦點(diǎn)3-5mm 。5.1.3參 數(shù)A.線距太大：雕

3、刻出的筆畫(huà)不夠精細(xì)、稀疏、無(wú)深度、雕刻速度度快；太?。旱窨坛龅墓P畫(huà)精細(xì)、致密、有深度、雕刻速度慢；默認(rèn)值：0.01mm. 備注：調(diào)整該參數(shù)可以明顯改變雕刻的速度、精度和深度。B.激光開(kāi)光延時(shí)太大：振鏡往前走得太多激光才打開(kāi)，筆畫(huà)的開(kāi)始會(huì)不夠長(zhǎng)；太?。赫耒R往前走得太少激光才打開(kāi)，筆畫(huà)開(kāi)始點(diǎn)會(huì)出現(xiàn)重點(diǎn)。默認(rèn)值：0 us。備注：調(diào)整該參數(shù)可以減小首發(fā)重點(diǎn)問(wèn)題。C.激光關(guān)光延時(shí)太大：振鏡已充分轉(zhuǎn)到，并停留一段時(shí)間后激光才關(guān)閉，筆畫(huà)末尾點(diǎn)會(huì)形成

4、重點(diǎn)，增加打標(biāo)時(shí)間。太?。赫耒R還示充分轉(zhuǎn)到，激光就關(guān)閉，筆畫(huà)的末尾不夠。默認(rèn)值：180us . 備注：高速該參數(shù)可以減小筆畫(huà)末尾重點(diǎn)的問(wèn)題。D.跳轉(zhuǎn)延時(shí)太大：振鏡已充分轉(zhuǎn)到，并停滯一段時(shí)間后才處理下一個(gè)筆畫(huà)，增加雕刻時(shí)間；太小：振鏡還未充分轉(zhuǎn)到，PC 就開(kāi)始處理下一個(gè)筆畫(huà)，筆畫(huà)開(kāi)始的地方會(huì)出現(xiàn)散點(diǎn)。默認(rèn)值：100us . E.拐彎延時(shí)：主要適用于 P A 、P A 6 6 、PC、PCABS、ABS、PS、PBT、PET等等。通常添

5、加量為 0.5-1wt%，根據(jù)標(biāo)記深淺情況酌情添加。5.3.2黒雕白助劑：在黑色塑膠表面標(biāo)記出白色圖文。主要適用于 PP、PE、PA6、PA66、PS\PBT、PET、PVC、POM、SEBS、TPU、TPE 和 TPV 等。注：透明 ABS 為純白色。通常添加量為0.5-1wt%，根據(jù)標(biāo)記深淺情況酌情添加。5.3.3白雕黒助劑：在淺色塑膠表面標(biāo)記出黑色圖文。主要適用于 PP、PE、PC、PA6、PA66、ABS、PS、PBT、PET、