0.8umsoi高頻互補(bǔ)雙極工藝的器件設(shè)計(jì)

1、分類號(hào) 密級(jí)曩擬磊卷國(guó)裊森驗(yàn)耋碩士學(xué)位論文 模擬集成電路國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室’叭上予7 阻l 磁j 乙( 題名與副題名)英文題目墜星盤匭匹Q ￡盤丑堡簽叢Q ：墨叢堡H i g 魚至盟g 叢盟曼Y≤≥2 4 羔啦! 曼蛩墮曼蛩0 廷! ￡Z 旦i 衛(wèi)Q ! 塹! 苧￡Q Q 曼曼墨! 逛墜Q 盟曼亟S Q !碩士研究生 邋垂墮指導(dǎo)教師 奎苤堡高絲墨猩豎趁塞盛墊整國(guó)窒重：量塞：墜室學(xué)科專業(yè) 絲墊量魚固簽墊王堂論文提交日期論文評(píng)閱人 豎亞到高絲三

2、猩豎一主墊塞國(guó)至壘盟堡登高絲王猩監(jiān)主墊塞團(tuán)至壘塹答辯委員會(huì)主席遂垂豎邋盛鰲墊王登墊盤堂2 0 0 8 年0 4 月2 0 日重慶郵電大學(xué)碩士論文 摘要摘要互補(bǔ)雙極技術(shù)憑借其高速、大電流驅(qū)動(dòng)等優(yōu)勢(shì)一直受到模擬集成電路設(shè)計(jì)者的青睞。而隨著微電子技術(shù)的應(yīng)用越來越廣泛，許多領(lǐng)域如射頻放大器、A ／D 轉(zhuǎn)換器等對(duì)抗輻射能力以及信號(hào)失真度的要求也越來越嚴(yán)格，這就驅(qū)使人們?cè)诠に嚿献匀欢坏貙⒏哳l互補(bǔ)雙極技術(shù)與S O I 全介質(zhì)隔離工藝相結(jié)合。在國(guó)外，

3、S O I高頻互補(bǔ)雙極工藝已相對(duì)成熟并且用于制造產(chǎn)品。但在國(guó)內(nèi)的發(fā)展比較落后且對(duì)其進(jìn)行專項(xiàng)研究的機(jī)構(gòu)并不多。本論文以中國(guó)電子科技集團(tuán)第2 4 研究所模擬集成電路國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的比較穩(wěn)定的互補(bǔ)雙極工藝C B P 2 0 1 2 為基礎(chǔ)開展了亞微米S O I 互補(bǔ)雙極工藝的器件設(shè)計(jì)工作，具體內(nèi)容如下：f 首先，在深入分析互補(bǔ)雙極技術(shù)及S O I 工藝的理論基礎(chǔ)上進(jìn)行了器件的建模和工藝流程設(shè)計(jì)。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)采取S O I 全介質(zhì)隔離，橫向

4、盡可能縮小尺寸以減小寄生電容，縱向力求制作淺結(jié)和窄基區(qū)寬度；工藝上，根據(jù)器件模型的要求優(yōu)化工藝流程，精確設(shè)計(jì)關(guān)鍵工藝參數(shù)，如發(fā)射區(qū)離子注入條件、基區(qū)離子注入條件、退火條件等。并利用T s u p 礎(chǔ)n 4 和M e d i c i 軟件分別對(duì)工藝流程及器件電學(xué)參數(shù)進(jìn)行了仿真，根據(jù)仿真結(jié)果不斷調(diào)整工藝參數(shù)、優(yōu)化器件設(shè)計(jì)。其次，針對(duì)亞微米的S o I 互補(bǔ)雙極工藝開發(fā)制定了特征尺寸為O ．8 肛m 的版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，分別設(shè)計(jì)了多種發(fā)射極長(zhǎng)度的