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文檔簡介
1、憶阻器具有工藝尺寸小、集成度高,可擴展性好等優(yōu)點,在存儲、邏輯運算和模擬信號處理等方面有巨大的應用潛力,有望取代晶體管,引起技術(shù)變革。憶阻器主要包括雙極開關(guān)(BRS)和互補阻性開關(guān)(CRS)。由CRS構(gòu)建的crossabar能有效避免BRS中的漏電流問題,且適用于大規(guī)模集成,具有廣闊的應用前景。
憶阻器在邏輯設計方面,已經(jīng)有不少的研究成果,如提出了實質(zhì)蘊涵(IMP)系列,憶阻器比值邏輯(MRL)系列等方面的應用。在存儲器上實現(xiàn)
2、邏輯運算為智能型存儲的研究拓展了新的思路,也為突破經(jīng)典馮諾依曼計算機結(jié)構(gòu)提供有益的啟示。
為進一步降低集成電路面積,豐富基于憶阻器的邏輯設計。本文提出基于CRScrossbar單元的一位比較器和一位半加器設計。首先,在單個CRS的有限狀態(tài)機(FSM)基礎(chǔ)上,本文分別總結(jié)輸出、輸入和狀態(tài)之間的關(guān)系。通過輸入,輸出,和狀態(tài)的關(guān)系,本文在單個CRS上用7個時序周期設計實現(xiàn)了一位比較器,使其三個邏輯功能均在同一個CRS單元上通過時序方
3、式實現(xiàn)。其次,對于雙層CRScrossbar單元,本文分析其FSM,總結(jié)輸入、狀態(tài)和輸出之間對應的關(guān)系,并在5個時序周期內(nèi)設計實現(xiàn)了一位半加器。
通過SPICE進行仿真,實驗驗證了所設計的一位比較器和一位半加器功能的正確性。通過DesignCompiler綜合分析,基于CRS的一位比較器和一位半加器相對45nm工藝的CMOS技術(shù),其面積要縮小三個數(shù)量級。基于CRS的一位比較器和一位半加器,在芯片面積和集成密度上取得較大收益的同
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