高頻雙極型器件S430工藝的研究與優(yōu)化.pdf

1、S430是通過技術(shù)轉(zhuǎn)移并在ASMC開發(fā)的一種高頻雙極型工藝。本文針對它的一些關(guān)鍵工藝進行優(yōu)化和研究，通過大量的實驗，對其中的Epi沾污、肖特基二極管漏電流大以及氧化層損傷等三個關(guān)鍵問題進行了研究，并解決了這些問題，大幅度提高了產(chǎn)品良率?！　♂槍Ξa(chǎn)品中曾出現(xiàn)的所有晶體管不工作的問題，找到了晶體管不工作的原因是Plasma破壞了氧化層的質(zhì)量，從而使之不能阻擋BPSG中的磷穿透氧化層并進入到Epi表面，引起Epi的沾污。根據(jù)此結(jié)論，獲得了一

2、種解決方案，并應(yīng)用于在實際生產(chǎn)中?！　∑浯?，為解決肖特基二極管漏電流大的問題，對表面處理、金屬淀積和合金化工藝等進行研究，基于肖特基二極管的理論基礎(chǔ)，做了大量的實驗，實驗數(shù)據(jù)表明：濺射溫度的升高有利于減小肖特基二極管的反向漏電流；合金處理氣氛以及干氧氧化表面處理對減少漏電流沒有太大作用；隨著Sputteretch時間和功率的增加，反向漏電流沒有改善，sputteretch的過量還會對硅表面有很大損傷；用某種化學(xué)方法將硅表面去掉一薄層，

3、然后做金屬濺射，可以獲得良好的肖特基二極管的反向擊穿特性，達到了客戶要求?！　∽詈?，在所有晶體管能夠正常工作的情況下，發(fā)現(xiàn)由于集電極和發(fā)射極隨機短路可能造成產(chǎn)品良率(Yield)低的現(xiàn)象。本文分析了有源區(qū)離子注入后處理退火工藝的原理和實驗結(jié)果，對不同的氧化層做了刻蝕速率的測試，從中可知：硼原子注入穿過氧化層時，破壞了氧化層的晶格結(jié)構(gòu)，造成了可恢復(fù)性的損傷。通過退火工藝，治愈了損傷，解決了LPNP集電極和發(fā)射極短路的問題，提高了成品率。