高頻雙極型器件S430工藝的研究與優(yōu)化.pdf

1、S430是通過(guò)技術(shù)轉(zhuǎn)移并在ASMC開(kāi)發(fā)的一種高頻雙極型工藝。本文針對(duì)它的一些關(guān)鍵工藝進(jìn)行優(yōu)化和研究，通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)，對(duì)其中的Epi沾污、肖特基二極管漏電流大以及氧化層損傷等三個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行了研究，并解決了這些問(wèn)題，大幅度提高了產(chǎn)品良率?！　♂槍?duì)產(chǎn)品中曾出現(xiàn)的所有晶體管不工作的問(wèn)題，找到了晶體管不工作的原因是Plasma破壞了氧化層的質(zhì)量，從而使之不能阻擋BPSG中的磷穿透氧化層并進(jìn)入到Epi表面，引起Epi的沾污。根據(jù)此結(jié)論，獲得了一

2、種解決方案，并應(yīng)用于在實(shí)際生產(chǎn)中?！　∑浯?，為解決肖特基二極管漏電流大的問(wèn)題，對(duì)表面處理、金屬淀積和合金化工藝等進(jìn)行研究，基于肖特基二極管的理論基礎(chǔ)，做了大量的實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明：濺射溫度的升高有利于減小肖特基二極管的反向漏電流；合金處理氣氛以及干氧氧化表面處理對(duì)減少漏電流沒(méi)有太大作用；隨著Sputteretch時(shí)間和功率的增加，反向漏電流沒(méi)有改善，sputteretch的過(guò)量還會(huì)對(duì)硅表面有很大損傷；用某種化學(xué)方法將硅表面去掉一薄層，

3、然后做金屬濺射，可以獲得良好的肖特基二極管的反向擊穿特性，達(dá)到了客戶要求?！　∽詈?，在所有晶體管能夠正常工作的情況下，發(fā)現(xiàn)由于集電極和發(fā)射極隨機(jī)短路可能造成產(chǎn)品良率(Yield)低的現(xiàn)象。本文分析了有源區(qū)離子注入后處理退火工藝的原理和實(shí)驗(yàn)結(jié)果，對(duì)不同的氧化層做了刻蝕速率的測(cè)試，從中可知：硼原子注入穿過(guò)氧化層時(shí)，破壞了氧化層的晶格結(jié)構(gòu)，造成了可恢復(fù)性的損傷。通過(guò)退火工藝，治愈了損傷，解決了LPNP集電極和發(fā)射極短路的問(wèn)題，提高了成品率。