電流源控制的雙極型器件.pdf

1、功率半導體器件是當下建設綠色節(jié)能型社會的一項關鍵技術。從電能的產(chǎn)生、輸運到應用，功率半導體器件都發(fā)揮著至關重要的作用，而且單個器件的特性往往直接決定著整個電力系統(tǒng)的效能。所以近年來功率半導體器件得到了廣泛的關注和研究。
　　首先，本文介紹了一種電流源控制的雙極型功率器件，該結構由電子科技大學陳星弼院士于2010年首先提出，并已申請發(fā)明專利[1]。這種器件基于晶閘管的四層三結結構，利用電流正反饋效應，器件導通時壓降很??；通過兩個外加

2、電流源控制器件內(nèi)部的電子電流和空穴電流，使得電流在達到一定值時隨外加偏壓的增加逐漸飽和，而不是無限增大，這一點和普通的晶閘管是不同的。從而該結構很好的限制了絲狀大電流，解決了大功率器件中存在的電流集中效應。文中討論了器件原理，結構設計以及一些具體的實現(xiàn)方法。
　　此外，本文對Super-Junction IGBT這種新型器件結構的工作原理進行了詳細分析和研究。通過Medici仿真驗證，SJ-IGBT的擊穿特性和正向?qū)▔航刀济黠@優(yōu)