0.13μmlogic工藝中光刻相關(guān)參數(shù)對(duì)良率影響的研究

1、Y 如2 l 二9 ‘援旦大學(xué)碩士學(xué)位論文( 專業(yè)學(xué)位)學(xué)校代碼學(xué) 號(hào)J 0 2 4 60 4 3 0 5 2 1 3 60 ．1 3 pm L o g i c 工藝中光刻相關(guān)參數(shù)對(duì)良率影響的研究院 系： 微電子研究院專 業(yè)：姓 名：指導(dǎo)教師：完成曰期：電子與通信工程莊燕萍王季陶博導(dǎo)劉祥中處長(zhǎng)2 0 0 6 年9 月3 0 日O ．1 3 mL 。g i c 工藝中光玄6 相關(guān)參數(shù)對(duì)良率影晌的研究 莊燕萍O ．1 3 u mL o g

2、i c 工藝中光刻相關(guān)參數(shù)對(duì)良率影響的研究摘 要 本課題圍繞實(shí)際工作中遇到的o ．1 3 微米L o g i c 產(chǎn)品的良率問題展開。主要通過分析比較相位移掩膜工藝和傳統(tǒng)鉻膜工藝的優(yōu)缺點(diǎn)，找出可能導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的主要因素。最后集中分析光阻膜厚與關(guān)鍵尺寸大小的關(guān)系圖。當(dāng)關(guān)鍵尺寸小到0 ．1 3 微米以下時(shí)，前層圖形的影響對(duì)光阻膜厚的選擇至關(guān)重要，進(jìn)而對(duì)良率也有相應(yīng)的影響。課題過程中，針對(duì)光阻膜厚的選擇建立理論模型，并設(shè)計(jì)相關(guān)試驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證，