0.18微米存儲器光刻工藝參數(shù)的優(yōu)化研究

1、復旦大學碩士學位論文0.18微米存儲器光刻工藝參數(shù)的優(yōu)化研究姓名：程高龍申請學位級別：碩士專業(yè)：微電子指導教師：劉冉20070227摘要本文主要研究了一種典型的堆棧式存儲器光刻工藝參數(shù)的優(yōu)化問題，以期來闡明光刻深紫外時代工藝參數(shù)控制的重點，尤其對存儲器類產(chǎn)品具有指導意義。本文主要針此產(chǎn)品光刻工藝中遇到的四個大問題進行了研究和優(yōu)化，找到了解決方法并成功地實現(xiàn)了此產(chǎn)品的量產(chǎn)。具體內(nèi)容如下：1前段scanner機臺和后段stepper機臺對準

2、的匹配問題該產(chǎn)品前段因為工藝要求高，需要在價格昂貴的scanner曝光機實施光刻，而后段工藝要求低，只需要在價格一般的stepper曝光機上實施光刻。雖然這樣最大程度地降低了生產(chǎn)成本，但是同時也產(chǎn)生了其他問題，其中一個需要重點考慮的就是兩種機臺對準的匹配問題。該問題會在本文中研究并找到解決方法。2晶圓邊緣電容圖形由于偏焦導致的圖形掀起問題該產(chǎn)品為了達到單個芯片更大的存儲容量，制造電容圖形工藝時，圖形的深度與直徑比很大，偏焦的圖形在后續(xù)工

3、藝中特別容易傾倒，尤其在后續(xù)酸槽工藝中更是容易掀起，傾灑到整個晶圓之上，從而嚴重影響了產(chǎn)品的良率。由于圖形聚集不良特別容易在晶圓邊緣表面不平的地方出現(xiàn)，本文會對晶圓邊緣地帶的曝光進行研究，找到防止晶圓邊緣偏焦的方法。3DUV光刻膠由于光酸橫向擴散速度過快導致的圖形缺陷問題該產(chǎn)品在使用一光刻膠廠商的光刻膠時，發(fā)現(xiàn)圖形缺陷問題，本文會對此現(xiàn)象進行研究，以找到控制光酸擴散過快的方法，從而解決光刻圖形缺陷的問題。4氨氣污染導致的DUV光刻膠光刻