消除TrenchMOS表面靜電的光刻工藝改進.pdf

1、在多種多樣的功率器件中,TrenchMOSFET(一種新型垂直結(jié)構(gòu)器件)是一種擁有低導(dǎo)通電阻、低柵漏電荷密度、以及低開關(guān)損耗的高速開關(guān)元器件。而擁有特殊工藝結(jié)構(gòu)的某TrenchMOS產(chǎn)品A通過增大gate導(dǎo)線面積,進一步減小導(dǎo)通電阻、降低開關(guān)功耗并提高開關(guān)速度。但常規(guī)的半導(dǎo)體工藝不能滿足該新型TrenchMOS產(chǎn)品A的目標(biāo)良率,阻礙了其廣泛應(yīng)用。本項目針對該產(chǎn)品的低良率(lowyield)問題進行光刻工藝的改進來提高它的良率。通過一系列

2、實驗,對某TrenchMOS產(chǎn)品A工藝產(chǎn)生lowyield的機理進行分析,特別對影響光刻顯影工藝的參數(shù)進行分析。通過合理設(shè)計實驗來驗證減少顯影工藝超純水的噴吐時間可以提高良率,并評估了其對顯影工藝的影響,得出采用此工藝的可行性論證。然后將顯影工藝中減少超純水噴吐時間的技術(shù)運用到實際生產(chǎn)當(dāng)中,通過大規(guī)模生產(chǎn)得出的生產(chǎn)結(jié)果數(shù)據(jù)來評估這一工藝改進的效果。研究結(jié)果表明,這種方法可以消除P阱光刻工藝中顯影后積累在晶圓表面的靜電電荷,減少其對P阱離