提高良率的淺槽隔離刻蝕工藝研究.pdf

1、淺槽隔離技術(shù)是半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用相當廣泛的一種新型隔離技術(shù)，但在實際生產(chǎn)過程中，依舊存在著一些影響產(chǎn)品良率的問題。本論文研究發(fā)現(xiàn)刻蝕過程中產(chǎn)生的底部粗糙度、硅殘留缺陷與深度異常是影響產(chǎn)品良率的主要原因。為了提高產(chǎn)品良率，本文提出了解決上述問題的方案，并在實際生產(chǎn)中得到應(yīng)用。
　　本文采用原子力掃描探針顯微鏡(AFM)技術(shù)檢測了刻蝕底部粗糙度，對比了LAM9400 PTX與LAM9400 DFM兩種不同刻蝕機型結(jié)果，發(fā)現(xiàn)LAM9400

2、 PTX機型刻蝕底部粗糙較差，造成了產(chǎn)品良率的下降。針對PTX機型的問題，本文對原有的工藝條件進行了優(yōu)化，如將氧氣流量從15sccm減到5sccm等方法，明顯改善了刻蝕底部粗糙度問題。
　　通過對刻蝕硅殘留缺陷形成機理分析，確定了機臺零部件老化是其形成的主要因素，經(jīng)過零部件更換，解決了硅殘留缺陷的問題。此外采取了重新定義關(guān)鍵零部件的有效使用時間，開發(fā)機臺缺陷追蹤補查軟件與增加機臺即時參數(shù)異常警示提醒功能，長效監(jiān)測機臺穩(wěn)定性，減少了