《半導(dǎo)體集成電路》試題庫(kù)

1、一、填空題（30分=1分30）10題章晶圓制備1用來(lái)做芯片的高純硅被稱為（半導(dǎo)體級(jí)硅），英文簡(jiǎn)稱（GSG），有時(shí)也被稱為（電子級(jí)硅）。2單晶硅生長(zhǎng)常用（CZ法）和（區(qū)熔法）兩種生長(zhǎng)方式，生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（硅錠）。3晶圓的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（鍺）。4晶圓制備的九個(gè)工藝步驟分別是（單晶生長(zhǎng)）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蝕、（拋光）、清洗、檢查和包裝。5從半導(dǎo)體制造來(lái)講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號(hào)是（1

2、00）、（110）和（111）。6CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅是把（融化了的半導(dǎo)體級(jí)硅液體）變?yōu)椋ㄓ姓_晶向的）并且（被摻雜成p型或n型）的固體硅錠。7CZ直拉法的目的是（實(shí)現(xiàn)均勻摻雜的同時(shí)并且復(fù)制仔晶的結(jié)構(gòu)，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質(zhì)引入到硅中）。影響CZ直拉法的兩個(gè)主要參數(shù)是（拉伸速率）和（晶體旋轉(zhuǎn)速率）。8晶圓制備中的整型處理包括（去掉兩端）、（徑向研磨）和（硅片定位邊和定位槽）。9制備半導(dǎo)體級(jí)硅的過(guò)程：1（制備工業(yè)硅）；2（生長(zhǎng)硅單

3、晶）；3（提純）。氧化10二氧化硅按結(jié)構(gòu)可分為（結(jié)晶型）和（非結(jié)晶型）或（不定型）。11熱氧化工藝的基本設(shè)備有三種：（臥式爐）、（立式爐）和（快速熱處理爐）。12根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為（干氧氧化）、（濕氧氧化）和（水汽氧化）。13用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分：（工藝腔）、（硅片傳輸系統(tǒng)）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（溫控系統(tǒng)）。14選擇性氧化常見(jiàn)的有（局部氧化）和（淺槽隔離），其英語(yǔ)縮略語(yǔ)分別為L(zhǎng)OCOS和（STI）

4、。15列出熱氧化物在硅片制造的4種用途：（摻雜阻擋）、（表面鈍化）、場(chǎng)氧化層和（金屬層間介質(zhì)）。16可在高溫設(shè)備中進(jìn)行的五種工藝分別是（氧化）、（擴(kuò)散）、（）、退火和合金。金屬化30金屬按其在集成電路工藝中所起的作用，可劃分為三大類：（）、（）和（）。31氣體直流輝光放電分為四個(gè)區(qū)，分別是：無(wú)光放電區(qū)、湯生放電區(qū)、輝光放電區(qū)和電弧放電區(qū)。其中輝光放電區(qū)包括前期輝光放電區(qū)、（）和（），則濺射區(qū)域選擇在（）。32濺射現(xiàn)象是在（）中觀察到的，

5、集成電路工藝中利用它主要用來(lái)（），還可以用來(lái)（）。33對(duì)芯片互連的金屬和金屬合金來(lái)說(shuō)，它所必備一些要求是：（導(dǎo)電率）、高黏附性、（淀積）、（平坦化）、可靠性、抗腐蝕性、應(yīng)力等。34在半導(dǎo)體制造業(yè)中，最早的互連金屬是（鋁），在硅片制造業(yè)中最普通的互連金屬是（鋁），即將取代它的金屬材料是（銅）。35寫出三種半導(dǎo)體制造業(yè)的金屬和合金（Al）、（Cu）和（鋁銅合金）。36阻擋層金屬是一類具有（高熔點(diǎn)）的難熔金屬，金屬鋁和銅的阻擋層金屬分別是（W

6、）和（W）。37多層金屬化是指用來(lái)（）硅片上高密度堆積器件的那些（）和（）。38被用于傳統(tǒng)和雙大馬士革金屬化的不同金屬淀積系統(tǒng)是：（）、（）、（）和銅電鍍。39濺射主要是一個(gè)（）過(guò)程，而非化學(xué)過(guò)程。在濺射過(guò)程中，（）撞擊具有高純度的靶材料固體平板，按物理過(guò)程撞擊出原子。這些被撞擊出的原子穿過(guò)（），最后淀積在硅片上。平坦化40縮略語(yǔ)PSG、BPSG、FSG的中文名稱分別是（磷硅玻璃）、（硼磷硅玻璃）和（）。41列舉硅片制造中用到CMP的幾