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文檔簡介
1、半導(dǎo)體行業(yè)正處于一個(gè)前所未有的變革時(shí)期,對“摩爾定律”的不懈追求帶來了層出不窮的物理和經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn),而且這些挑戰(zhàn)往往看起來是無法克服的?,F(xiàn)在,硅元件的特征尺寸甚至是硅元件之間的間距都已經(jīng)小于用于硅元件制版的光的波長。一旦制版完成,材料特性和電氣特性可能會極大程度地改變芯片的性能和可靠性。
這些光蝕刻技術(shù)和材料效應(yīng)相結(jié)合,在130nm技術(shù)的加工中形成了難以逾越的難題。成品率以螺旋曲線下滑,數(shù)據(jù)量則呈指數(shù)曲線上升,掩模成本急劇增加
2、。在這個(gè)富有挑戰(zhàn)意義的技術(shù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)上,產(chǎn)品的生產(chǎn)過程比預(yù)期的速度要慢得多。展望90nm和65nm制作工藝的未來,新的光蝕刻設(shè)備、機(jī)械應(yīng)力和材料效應(yīng)使高的成品率更難以實(shí)現(xiàn)。
本文主要研究芯片設(shè)計(jì)中對成品率的優(yōu)化。共分為六章,第一章主要是成品率的簡單介紹,使讀者對的成品率影響分類、產(chǎn)生原因、計(jì)算方法等有一定的了解,并且對成品率設(shè)計(jì)有一個(gè)大致的概念;第二章是對芯片成品率設(shè)計(jì)中一些專業(yè)術(shù)語和特定概念的介紹,包括一些基本的定義和一些與
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