半導(dǎo)體器件物理 試題庫(kù)

1、題庫(kù)題庫(kù)(一)半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)部分半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)部分1、計(jì)算分析題已知：在室溫（T=300K）時(shí)，硅本征載流子的濃度為ni=1.51010cm3電荷的電量q=1.61019Cn=1350p=5002cmVs?2cmVs?半導(dǎo)體硅材料在室溫的條件下，測(cè)得n0=4.5104cm3，ND=51015cm3問(wèn)：⑴該半導(dǎo)體是n型還是p型？⑵分別求出多子和少子的濃度⑶樣品的電導(dǎo)率是多少？⑷分析該半導(dǎo)體的是否在強(qiáng)電離區(qū)，為什么？0DnN?2、說(shuō)明元素半

2、導(dǎo)體Si、Ge中的主要摻雜雜質(zhì)及其作用？3、什么叫金屬半導(dǎo)體的整流接觸和歐姆接觸，形成歐姆接觸的主要方法有那些？4、為什么金屬與重?fù)诫s半導(dǎo)體接觸可以形成歐姆接觸？PN部分部分5、什么叫pn結(jié)的勢(shì)壘電容？分析勢(shì)壘電容的主要的影響因素及各因素導(dǎo)致壘電容大小變化的趨勢(shì)。6、什么是pn結(jié)的正向注入和反向抽取？7、pn結(jié)在正向和反向偏置的情況下，勢(shì)壘區(qū)和載流子運(yùn)動(dòng)是如何變化的？8、簡(jiǎn)述pn結(jié)雪崩擊穿、隧道擊穿和熱擊穿的機(jī)理9、什么叫二極管的反向恢

3、復(fù)時(shí)間，提高二極管開(kāi)關(guān)速度的主要途徑有那些？10、如圖1所示，請(qǐng)問(wèn)本PN結(jié)的偏壓為正向，還是反向？準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)形成的主要原因PN結(jié)空間電荷區(qū)寬度取決的什么因素，對(duì)本PN結(jié)那邊空間電荷區(qū)更寬？圖2雙極型晶體管共發(fā)射極直流輸出特性曲線20、如圖3所示，對(duì)于一個(gè)NPNN結(jié)構(gòu)的雙極晶體管，隨著集電極電流的增大出現(xiàn)了那種效應(yīng)？請(qǐng)?jiān)敿?xì)描述圖3（ac）曲線的形成的過(guò)程。()()()CCCIcIbIa??偏偏偏偏偏偏偏偏偏偏Kirkeffect偏偏偏偏偏