《半導(dǎo)體集成電路》期末考試試題庫(kù)

1、1第一部分第一部分考試試題考試試題第0章緒論緒論1.1.什么叫半導(dǎo)體集成電路？什么叫半導(dǎo)體集成電路？2.2.按照半導(dǎo)體集成電路的集成度來分，分為哪些類型，請(qǐng)同時(shí)寫出按照半導(dǎo)體集成電路的集成度來分，分為哪些類型，請(qǐng)同時(shí)寫出它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫？它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫？3.3.按照器件類型分，半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類？按照器件類型分，半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類？4.4.按電路功能或信號(hào)類型分，半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類按電路功能或信號(hào)類型分，半導(dǎo)體集

2、成電路分為哪幾類？5.5.什么是特征尺寸？它對(duì)集成電路工藝有何影響什么是特征尺寸？它對(duì)集成電路工藝有何影響？6.6.名詞解釋：集成度、名詞解釋：集成度、waferwafersizesize、diediesizesize、摩爾定律？、摩爾定律？第1章集成電路的基本制造工藝集成電路的基本制造工藝1.四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管中隱埋層的作用？2.在制作晶體管的時(shí)候，襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響？。3.簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體

3、管的光刻步驟？4.4.簡(jiǎn)述硅柵簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOSCMOS的光刻步驟？的光刻步驟？5.5.以p阱CMOSCMOS工藝為基礎(chǔ)的工藝為基礎(chǔ)的BiCMOSBiCMOS的有哪些不足？的有哪些不足？6.6.以N阱CMOSCMOS工藝為基礎(chǔ)的工藝為基礎(chǔ)的BiCMOSBiCMOS的有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？并請(qǐng)?zhí)岢龈牡挠心男﹥?yōu)缺點(diǎn)？并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。進(jìn)方法。7.請(qǐng)畫出NPN晶體管的版圖，并且標(biāo)注各層摻雜區(qū)域類型。8.8.請(qǐng)畫出請(qǐng)畫出CMOSCMOS反相器的版圖，

4、并標(biāo)注各層摻雜類型和輸入輸出端反相器的版圖，并標(biāo)注各層摻雜類型和輸入輸出端子。子。第2章集成電路中的晶體管及其寄生效應(yīng)集成電路中的晶體管及其寄生效應(yīng)34.兩管與非門有哪些缺點(diǎn)，四管及五管與非門的結(jié)構(gòu)相對(duì)于兩管與非門在那些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管與非門對(duì)靜態(tài)和動(dòng)態(tài)有那些方面的改進(jìn)。5.相對(duì)于五管與非門六管與非門的結(jié)構(gòu)在那些部分作了改善，分析改進(jìn)部分是如何工作的。6.畫出四管和六管單元與非門傳輸特性曲線。并說明為

5、什么有源泄放回路改善了傳輸特性的矩形性。7.四管與非門中，如果高電平過低，低電平過高，分析其原因，如與改善方法，請(qǐng)說出你的想法。8.為什么TTL與非門不能直接并聯(lián)？9.OC門在結(jié)構(gòu)上作了什么改進(jìn)，它為什么不會(huì)出現(xiàn)TTL與非門并聯(lián)的問題。第5章MOSMOS反相器反相器1.1.請(qǐng)給出請(qǐng)給出NMOSNMOS晶體管的閾值電壓公式，并解釋各項(xiàng)的物理含義及晶體管的閾值電壓公式，并解釋各項(xiàng)的物理含義及其對(duì)閾值大小的影響（即各項(xiàng)在不同情況下是提高閾值還

6、是降低其對(duì)閾值大小的影響（即各項(xiàng)在不同情況下是提高閾值還是降低閾值）閾值）。2.什么是器件的亞閾值特性，對(duì)器件有什么影響？3.3.MOSMOS晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么，其對(duì)晶體管有什么影響？晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么，其對(duì)晶體管有什么影響？4.請(qǐng)以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應(yīng)，并解釋其對(duì)PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。5.什么是溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，對(duì)器件有什么影響？6.為什么MOS晶體管會(huì)存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮