版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、1第一部分第一部分考試試題考試試題第0章緒論緒論1.什么叫半導(dǎo)體集成電路?什么叫半導(dǎo)體集成電路?2.按照半導(dǎo)體集成電路的集成度來分,分為哪些類型,請(qǐng)同時(shí)寫出它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫?按照半導(dǎo)體集成電路的集成度來分,分為哪些類型,請(qǐng)同時(shí)寫出它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫?3.按照器件類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?按照器件類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?4.按電路功能或信號(hào)類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類按電路功能或信號(hào)類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類
2、?5.什么是特征尺寸?它對(duì)集成電路工藝有何影響什么是特征尺寸?它對(duì)集成電路工藝有何影響?6.名詞解釋:集成度、名詞解釋:集成度、wafersize、diesize、摩爾定律?、摩爾定律?第1章集成電路的基本制造工藝集成電路的基本制造工藝1.四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管中隱埋層的作用?2.在制作晶體管的時(shí)候,襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響?。3.簡單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟?4.簡述硅柵簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟
3、?的光刻步驟?5.以p阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些不足?的有哪些不足?6.以N阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。的有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。7.請(qǐng)畫出NPN晶體管的版圖,并且標(biāo)注各層摻雜區(qū)域類型。8.請(qǐng)畫出請(qǐng)畫出CMOS反相器的版圖,并標(biāo)注各層摻雜類型和輸入輸出端子。反相器的版圖,并標(biāo)注各層摻雜類型和輸入輸出端子。第2章集成電路中的晶體管及其寄生效應(yīng)集成電路中
4、的晶體管及其寄生效應(yīng)1.簡述集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)在其各工作區(qū)能否忽略?。2.什么是集成雙極晶體管的無源寄生效應(yīng)?3.什么是MOS晶體管的有源寄生效應(yīng)?4.什么是MOS晶體管的閂鎖效應(yīng),其對(duì)晶體管有什么影響5.消除“Latchup”效應(yīng)的方法?6.如何解決MOS器件的場(chǎng)區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)?7.如何解決MOS器件中的寄生雙極晶體管效應(yīng)?第3章集成電路中的無源元件集成電路中的無源元件1.雙極性集成電路中最常用的電阻器和MOS集成電
5、路中常用的電阻都有哪些?2.集成電路中常用的電容有哪些。3.為什么基區(qū)薄層電阻需要修正。4.為什么新的工藝中要用銅布線取代鋁布線。5.運(yùn)用基區(qū)擴(kuò)散電阻,設(shè)計(jì)一個(gè)方塊電阻200歐,阻值為1K的電阻,已知耗散功率為20Wc㎡該電阻上的壓降為5V設(shè)計(jì)此電阻。第4章TTL電路電路1.名詞解釋315試比較將試比較將nMOSEE反相器的負(fù)載管改為耗盡型反相器的負(fù)載管改為耗盡型nMOSFET后,傳輸特性有哪些改后,傳輸特性有哪些改善?善?16.耗盡型
6、負(fù)載耗盡型負(fù)載nMOS反相器相比于增強(qiáng)型負(fù)載反相器相比于增強(qiáng)型負(fù)載nMOS反相器有哪些好處?反相器有哪些好處?17有一有一nMOSED反相器,若反相器,若VTE=2V,VTD=2V,KNEKND=25,VDD=2V,求此反相器的,求此反相器的高、低輸出邏輯電平是多少?高、低輸出邏輯電平是多少?18.什么是什么是CMOS電路?簡述電路?簡述CMOS反相器的工作原理及特點(diǎn)。反相器的工作原理及特點(diǎn)。19.根據(jù)根據(jù)CMOS反相器的傳輸特性曲線計(jì)
7、算反相器的傳輸特性曲線計(jì)算VIL和VIH。20.求解求解CMOS反相器的邏輯閾值,并說明它與哪些因素有關(guān)?反相器的邏輯閾值,并說明它與哪些因素有關(guān)?21.為什么的為什么的PMOS尺寸通常比尺寸通常比NMOS的尺寸大?的尺寸大?22考慮一個(gè)具有如下參數(shù)的考慮一個(gè)具有如下參數(shù)的CMOS反相器電路:反相器電路:VDD=3.3VVTN=0.6VVTP=0.7VKN=200uAV2Kp=80uAV2計(jì)算電路的噪聲容限。計(jì)算電路的噪聲容限。23.采
8、用采用0.35um工藝的工藝的CMOS反相器,相關(guān)參數(shù)如下:反相器,相關(guān)參數(shù)如下:VDD=3.3VNMOS:VTN=0.6VμN(yùn)COX=60uAV2(WL)N=8PMOS:VTP=0.7VμpCOX=25uAV2(WL)P=12求電路的噪聲容限及邏輯閾值。求電路的噪聲容限及邏輯閾值。24設(shè)計(jì)一個(gè)設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS反相器,反相器,NMOS:VTN=0.6VμN(yùn)COX=60uAV2PMOS:VTP=0.7VμPCOX=25uAV2電源電壓為電
9、源電壓為3.3V,LN=LP=0.8um1)求)求VM=1.4V時(shí)的時(shí)的WNWP。2)此)此CMOS反相器制作工藝允許反相器制作工藝允許VTN、VTP的值在標(biāo)稱值有正負(fù)的值在標(biāo)稱值有正負(fù)15%的變化,假定其他的變化,假定其他參數(shù)仍為標(biāo)稱值,求參數(shù)仍為標(biāo)稱值,求VM的上下限。的上下限。25舉例說明什么是有比反相器和無比反相器。舉例說明什么是有比反相器和無比反相器。26以以CMOS反相器為例,說明什么是靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。反相器為例,說明什
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 《半導(dǎo)體集成電路》考試題目及參考答案
- 《半導(dǎo)體集成電路》考試題目及參考答案要點(diǎn)
- 《半導(dǎo)體集成電路》試題庫
- 半導(dǎo)體集成電路試題庫
- 半導(dǎo)體集成電路課件
- 半導(dǎo)體集成電路復(fù)習(xí)題及答案
- 《半導(dǎo)體集成電路》期末考試試題庫
- 半導(dǎo)體復(fù)習(xí)參考試題
- 微波半導(dǎo)體器件及微波集成電路
- 電工學(xué)考試題目及參考答案
- 《半導(dǎo)體集成電路》課程教學(xué)大綱
- 鄭州大學(xué)半導(dǎo)體集成電路復(fù)習(xí)總結(jié)
- 《半導(dǎo)體器件》習(xí)題及參考答案
- 半導(dǎo)體工藝集成電路制造技術(shù)答案1,2單元
- 半導(dǎo)體集成電路封測(cè)項(xiàng)目商業(yè)計(jì)劃書范文參考
- “集成電路與器件物理、半導(dǎo)體物理”(802)
- 半導(dǎo)體器件與集成電路抗靜電放電(esd)
- 貴州大生態(tài)公需科目考試題目及參考答案
- 半導(dǎo)體集成電路布圖設(shè)計(jì)的法律保護(hù)
- 《集成電路設(shè)計(jì)原理》試卷及答案解讀
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論