《半導(dǎo)體集成電路》考試題目及參考答案解讀_第1頁
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1、1第一部分第一部分考試試題考試試題第0章緒論緒論1.什么叫半導(dǎo)體集成電路?什么叫半導(dǎo)體集成電路?2.按照半導(dǎo)體集成電路的集成度來分,分為哪些類型,請(qǐng)同時(shí)寫出它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫?按照半導(dǎo)體集成電路的集成度來分,分為哪些類型,請(qǐng)同時(shí)寫出它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫?3.按照器件類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?按照器件類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?4.按電路功能或信號(hào)類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類按電路功能或信號(hào)類型分,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類

2、?5.什么是特征尺寸?它對(duì)集成電路工藝有何影響什么是特征尺寸?它對(duì)集成電路工藝有何影響?6.名詞解釋:集成度、名詞解釋:集成度、wafersize、diesize、摩爾定律?、摩爾定律?第1章集成電路的基本制造工藝集成電路的基本制造工藝1.四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管中隱埋層的作用?2.在制作晶體管的時(shí)候,襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響?。3.簡單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟?4.簡述硅柵簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟

3、?的光刻步驟?5.以p阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些不足?的有哪些不足?6.以N阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。的有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。7.請(qǐng)畫出NPN晶體管的版圖,并且標(biāo)注各層摻雜區(qū)域類型。8.請(qǐng)畫出請(qǐng)畫出CMOS反相器的版圖,并標(biāo)注各層摻雜類型和輸入輸出端子。反相器的版圖,并標(biāo)注各層摻雜類型和輸入輸出端子。第2章集成電路中的晶體管及其寄生效應(yīng)集成電路中

4、的晶體管及其寄生效應(yīng)1.簡述集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)在其各工作區(qū)能否忽略?。2.什么是集成雙極晶體管的無源寄生效應(yīng)?3.什么是MOS晶體管的有源寄生效應(yīng)?4.什么是MOS晶體管的閂鎖效應(yīng),其對(duì)晶體管有什么影響5.消除“Latchup”效應(yīng)的方法?6.如何解決MOS器件的場(chǎng)區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)?7.如何解決MOS器件中的寄生雙極晶體管效應(yīng)?第3章集成電路中的無源元件集成電路中的無源元件1.雙極性集成電路中最常用的電阻器和MOS集成電

5、路中常用的電阻都有哪些?2.集成電路中常用的電容有哪些。3.為什么基區(qū)薄層電阻需要修正。4.為什么新的工藝中要用銅布線取代鋁布線。5.運(yùn)用基區(qū)擴(kuò)散電阻,設(shè)計(jì)一個(gè)方塊電阻200歐,阻值為1K的電阻,已知耗散功率為20Wc㎡該電阻上的壓降為5V設(shè)計(jì)此電阻。第4章TTL電路電路1.名詞解釋315試比較將試比較將nMOSEE反相器的負(fù)載管改為耗盡型反相器的負(fù)載管改為耗盡型nMOSFET后,傳輸特性有哪些改后,傳輸特性有哪些改善?善?16.耗盡型

6、負(fù)載耗盡型負(fù)載nMOS反相器相比于增強(qiáng)型負(fù)載反相器相比于增強(qiáng)型負(fù)載nMOS反相器有哪些好處?反相器有哪些好處?17有一有一nMOSED反相器,若反相器,若VTE=2V,VTD=2V,KNEKND=25,VDD=2V,求此反相器的,求此反相器的高、低輸出邏輯電平是多少?高、低輸出邏輯電平是多少?18.什么是什么是CMOS電路?簡述電路?簡述CMOS反相器的工作原理及特點(diǎn)。反相器的工作原理及特點(diǎn)。19.根據(jù)根據(jù)CMOS反相器的傳輸特性曲線計(jì)

7、算反相器的傳輸特性曲線計(jì)算VIL和VIH。20.求解求解CMOS反相器的邏輯閾值,并說明它與哪些因素有關(guān)?反相器的邏輯閾值,并說明它與哪些因素有關(guān)?21.為什么的為什么的PMOS尺寸通常比尺寸通常比NMOS的尺寸大?的尺寸大?22考慮一個(gè)具有如下參數(shù)的考慮一個(gè)具有如下參數(shù)的CMOS反相器電路:反相器電路:VDD=3.3VVTN=0.6VVTP=0.7VKN=200uAV2Kp=80uAV2計(jì)算電路的噪聲容限。計(jì)算電路的噪聲容限。23.采

8、用采用0.35um工藝的工藝的CMOS反相器,相關(guān)參數(shù)如下:反相器,相關(guān)參數(shù)如下:VDD=3.3VNMOS:VTN=0.6VμN(yùn)COX=60uAV2(WL)N=8PMOS:VTP=0.7VμpCOX=25uAV2(WL)P=12求電路的噪聲容限及邏輯閾值。求電路的噪聲容限及邏輯閾值。24設(shè)計(jì)一個(gè)設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS反相器,反相器,NMOS:VTN=0.6VμN(yùn)COX=60uAV2PMOS:VTP=0.7VμPCOX=25uAV2電源電壓為電

9、源電壓為3.3V,LN=LP=0.8um1)求)求VM=1.4V時(shí)的時(shí)的WNWP。2)此)此CMOS反相器制作工藝允許反相器制作工藝允許VTN、VTP的值在標(biāo)稱值有正負(fù)的值在標(biāo)稱值有正負(fù)15%的變化,假定其他的變化,假定其他參數(shù)仍為標(biāo)稱值,求參數(shù)仍為標(biāo)稱值,求VM的上下限。的上下限。25舉例說明什么是有比反相器和無比反相器。舉例說明什么是有比反相器和無比反相器。26以以CMOS反相器為例,說明什么是靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。反相器為例,說明什

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