fab工藝資料

1、1名詞介紹名詞介紹1.ActiveArea主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)）主動(dòng)晶體管（ActiveTransist）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ActiveArea）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過程中ActiveArea是由一層氮化硅光罩接著氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ActiveArea會(huì)受到鳥嘴（Bird’sBeak）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)

2、有0.5UM之Bird’sBeak存在，也就是說ActiveArea比原在之氮化硅光罩所定義的區(qū)域小0.5UM。2.Acetone丙酮丙酮①丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。②性質(zhì)為無色，具刺激性及薄荷臭味之液體。③在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。④對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚黏膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過量之丙酮蒸汽會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明

3、等。⑤允許濃度1000PPM。3.ADI顯影后檢查顯影后檢查①定義：AfterDevelopingInspection之縮寫②目的：檢查黃光室制程；光阻覆蓋→對(duì)準(zhǔn)→曝光→顯影。發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)后，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護(hù)產(chǎn)品良率、品質(zhì)。③方法：利用目檢、顯微鏡為之。4.AEI蝕刻后檢查蝕刻后檢查①定義：AEI即AfterEtchingInspection，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施全檢或抽樣檢查。②目的：提

4、高產(chǎn)品良率，避免不良品外流；達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性；顯示制程能力之指針；阻止異常擴(kuò)大，節(jié)省成本。③通常AEI檢查出來之不良品，非必要時(shí)很少作修改，因?yàn)橹厝パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加，生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點(diǎn)。5.AirShower空氣洗塵室進(jìn)入潔凈室之前，需穿無塵衣，因在外面更衣室之故，無塵衣上沾著塵埃，故進(jìn)潔凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機(jī)將塵埃吹掉。6.Alignment對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)①定義：利

5、用芯片上的對(duì)準(zhǔn)鍵，一般用十字鍵和光罩上的對(duì)準(zhǔn)鍵合對(duì)為之。②目的：在IC的制造過程中，必須經(jīng)過6~10次左右的對(duì)準(zhǔn)、曝光來定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。③方法：A人眼對(duì)準(zhǔn)；B用光、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。7.AlloySinter熔合熔合Alloy之目的在使鋁與硅基(SiliconSubstrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線性關(guān)系。Alloy也可降低接觸的阻值。8.ALSI鋁硅靶此為金屬

6、濺鍍時(shí)所使用的一種金屬合金材料，利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把AlSi的原子撞擊出來，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，一般使用之組成為AlSi(1%)，將此當(dāng)作組件與外界導(dǎo)線連接。9.ALSICU鋁硅銅金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱，通常稱為Target，其成分為0.5﹪銅，1﹪硅及98.5﹪鋁，一般制程通常是使用99﹪鋁1﹪硅，后來318.BakeSoftBakeHardBake烘烤，軟烤，預(yù)烤烘烤，軟烤，預(yù)烤烘烤烘烤：在集成電路芯片上的制

7、造過程中，將芯片至于稍高溫（60℃～250℃）的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可區(qū)分微軟烤（Softbake）與預(yù)烤（Hardbake）。軟軟烤（Softbake）：其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。預(yù)烤（Hardbake）：又稱為蝕刻前烘烤（preetchbake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wetetching）更為重要，預(yù)烤不全會(huì)造成

8、過蝕刻。19.BF2二氟化硼二氟化硼一種供做離子植入用之離子。BF2＋是由BF3＋氣體經(jīng)燈絲加熱分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2。經(jīng)Extract拉出及質(zhì)譜磁場(chǎng)分析后而得到。是一種Ptype離子，通常用作VT植入（閘層）及SD植入。20.Boat晶舟晶舟Boat原意是單木舟，在半導(dǎo)體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質(zhì)，一是石英、另一

9、是鐵氟龍。石英Boat用在溫度較高（大于300℃）的場(chǎng)合。而鐵氟龍Boat則用在傳送或酸處理的場(chǎng)合。21.B.O.E緩沖蝕刻液緩沖蝕刻液BOE是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蝕刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。利用NH4F固定〔H＋〕的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會(huì)浸蝕玻璃及任何含硅石的物質(zhì)，對(duì)皮膚有強(qiáng)烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量水沖洗。22.Bondi

10、ngPAD焊墊焊墊焊墊－晶利用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝（Assembly）的制程中，有一個(gè)步驟是作“焊線”，即是用金線（塑料包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體）將晶粒的線路與包裝體之各個(gè)接腳依焊線圖（BondingDiagram）連接在一起，如此一來，晶粒的功能才能有效地應(yīng)用。由于晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小，（目前SIMC所致的產(chǎn)品約是微米左右的線寬或間隙），而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由于受到材料的延展性即對(duì)金屬

11、接線強(qiáng)度要求的限制，祇能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此情況下，要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上，一定會(huì)造成多條鋁線的接橋，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設(shè)計(jì)成一個(gè)約4mil見方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線使用。焊墊通常分布再晶粒之四個(gè)外圍上（以粒封裝時(shí)的焊線作業(yè)），其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線點(diǎn)作成圓形，以資辨識(shí)。焊墊因?yàn)橐鹘泳€，其上得護(hù)層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地

12、看到“開窗線”。而晶粒上有時(shí)亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內(nèi)部而非四周，其上也看不到開窗線，是為電容。23.Bon硼自然元素之一。由五個(gè)質(zhì)子及六個(gè)中子所組成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五個(gè)質(zhì)子及五個(gè)中子所組成原子量是10（B10）。自然界中這兩種同位素之比例是4：1，可由磁場(chǎng)質(zhì)譜分析中看出，是一種Ptype的離子（B11＋），用來作場(chǎng)區(qū)、井區(qū)、VT及SD植入。24.BPSG含硼及磷的硅化物含硼及磷的硅化物BPSG乃介于Poly