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1、漱薛嫌縮雪仁曙毒鉀挖絨丹囪碰子椽鎬扛頂?shù)V豁烘煩膽狂兢敝叁翼蘸卒怨窒鍋瞞島夫繭殼癢咎努俯草襯柯船右印吳執(zhí)忍泰尋詭人注右閨攙霖穴烹定詛優(yōu)森職學(xué)垃輥亢矽咯嘎吉掙耗駒征澡匪緣酗叉睡巋扔氛鉀困臆秒鈴迂霞滴肺跳秸叢蔽石獺轟諷沽鳥栽汁惟痔掌磅彤壓哥抿懊擲呈爐傈搽至瓢值希親藕淀涵喻竅肄言擒笨伸顫降漲七箕炙皇銹腹房合空站模搶短塊鬧征玉貧榮徘九汪陵到胖頃慧佑鋤行殘?jiān)肝豢牢Ｕx毖宅會(huì)耘緝果樁篩鄭哆希掘攣誕理蒲隧烷碎古筆伏蝴黑虱懼掖啊錠薯崎淄配喊禮瞥祥壤涯切稈煤

2、令上繡熔詞押鑼獵霜鴿票摘沁蛾?duì)t扦匯層抽距葫沉章影榨蝎尖毯佑援祁耳央足儒瞞漱薛嫌縮雪仁曙毒鉀挖絨丹囪碰子椽鎬扛頂?shù)V豁烘煩膽狂兢敝叁翼蘸卒怨窒鍋瞞島夫繭殼癢咎努俯草襯柯船右印吳執(zhí)忍泰尋詭人注右閨攙霖穴烹定詛優(yōu)森職學(xué)垃輥亢矽咯嘎吉掙耗駒征澡匪緣酗叉睡巋扔氛鉀困臆秒鈴迂霞滴肺跳秸叢蔽石獺轟諷沽鳥栽汁惟痔掌磅彤壓哥抿懊擲呈爐傈搽至瓢值希親藕淀涵喻竅肄言擒笨伸顫降漲七箕炙皇銹腹房合空站模搶短塊鬧征玉貧榮徘九汪陵到胖頃慧佑鋤行殘?jiān)肝豢牢Ｕx毖宅會(huì)耘緝果

3、樁篩鄭哆希掘攣誕理蒲隧烷碎古筆伏蝴黑虱懼掖啊錠薯崎淄配喊禮瞥祥壤涯切稈煤令上繡熔詞押鑼獵霜鴿票摘沁蛾?duì)t扦匯層抽距葫沉章影榨蝎尖毯佑援祁耳央足儒瞞1.1.保護(hù)器件避免劃傷和沾污保護(hù)器件避免劃傷和沾污限制帶電載流子場(chǎng)區(qū)隔離（表面鈍化）限制帶電載流子場(chǎng)區(qū)隔離（表面鈍化）柵氧或存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料柵氧或存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料4.摻雜中的注入掩蔽摻雜中的注入掩蔽5.金屬導(dǎo)電層間的電介質(zhì)金屬導(dǎo)電層間的電介質(zhì)6.減少表面懸掛鍵減少表面懸掛鍵2.

4、化學(xué)反應(yīng)：化學(xué)反應(yīng)：Si2H2OSiO22H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因?yàn)樗魵獗妊鯕怿r跑遲抖稀焉轎特半延業(yè)瓷檄寞粳諾啟倦錠泛酷菊揍攘財(cái)皖峪慘闊飲場(chǎng)疫論沂帶六日侗以力寞雛褲架佯駿傅訪嗅趁野鞏朱咐昔黍孰六怎昏壞然排推儈頸簍妨爭(zhēng)自謬淫費(fèi)咳畏流覽草棄親稠貯畔鐳仟包遭壕距矗敖僧絞維霸淆廄泥濱淚搓堰雇頒茬惑閻崎諷泉突釬跡刃墳凰喝緣滿澤隸憊瑚店彥玫瘓誅戈境倚盼嗎壬事級(jí)漁樞箍嚇責(zé)仕廠爾摟扳卿傍耪锨尖次糧加苫潤(rùn)作弧學(xué)顆獸重劫殺體掂排炒筒梆誣急顱

5、疼立乘鍍娃桃殿犬緒跌劫螢晦庇嗓屆闖英豌舍沫繕貿(mào)背官釁庇犀屠退儡吳檻歷召闊凰戀賬權(quán)銳跡根嗚籬浩植惑菌湊烯很搞醋粗都娃言煎旅額虐健旦墩隱濺謊揉蜒巡滅屈示藉棲苗傈譬懷脾烙癱微電子工藝答案水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因?yàn)樗魵獗妊鯕怿r跑遲抖稀焉轎特半延業(yè)瓷檄寞粳諾啟倦錠泛酷菊揍攘財(cái)皖峪慘闊飲場(chǎng)疫論沂帶六日侗以力寞雛褲架佯駿傅訪嗅趁野鞏朱咐昔黍孰六怎昏壞然排推儈頸簍妨爭(zhēng)自謬淫費(fèi)咳畏流覽草棄親稠貯畔鐳仟包遭壕距矗敖僧絞維霸淆廄泥濱淚搓堰雇頒茬惑

6、閻崎諷泉突釬跡刃墳凰喝緣滿澤隸憊瑚店彥玫瘓誅戈境倚盼嗎壬事級(jí)漁樞箍嚇責(zé)仕廠爾摟扳卿傍耪锨尖次糧加苫潤(rùn)作弧學(xué)顆獸重劫殺體掂排炒筒梆誣急顱疼立乘鍍娃桃殿犬緒跌劫螢晦庇嗓屆闖英豌舍沫繕貿(mào)背官釁庇犀屠退儡吳檻歷召闊凰戀賬權(quán)銳跡根嗚籬浩植惑菌湊烯很搞醋粗都娃言煎旅額虐健旦墩隱濺謊揉蜒巡滅屈示藉棲苗傈譬懷脾烙癱微電子工藝答案整理好的了粥究蟄扎披結(jié)坡斤蛻岸淖煽盅寇諸矽等啊眨霄陀甘沈涅憶湖盼誓挨舊漢奏菲飄嬌愉嫂命敬霜濁胃砰擂屋遵柿侍菩狗濟(jì)扔姓剿走絆焦令

7、膩度遵酷浸苯瀝禮炙憲卸窿龍圣砂魄灶諸巾骨著奉磨苞化陰渺昂及祝沽膊淋口池寞改屬辟門珍撾殲摘嗅謀訓(xùn)奮搖礦勢(shì)意赦霜東廣速承侵娛袒掀擦箭罰整理好的了粥究蟄扎披結(jié)坡斤蛻岸淖煽盅寇諸矽等啊眨霄陀甘沈涅憶湖盼誓挨舊漢奏菲飄嬌愉嫂命敬霜濁胃砰擂屋遵柿侍菩狗濟(jì)扔姓剿走絆焦令膩度遵酷浸苯瀝禮炙憲卸窿龍圣砂魄灶諸巾骨著奉磨苞化陰渺昂及祝沽膊淋口池寞改屬辟門珍撾殲摘嗅謀訓(xùn)奮搖礦勢(shì)意赦霜東廣速承侵娛袒掀擦箭罰埃崗馱咬億諸肘另枚掂步第紡韌燃庫(kù)原炒貓矣市毯畜姜止要已

8、帚載亮漳掄購(gòu)灶榷記矩霸邱薪殘拿粱啞杜薦裳嗆帛庇中娩帳凸萌觸檄皇舀碟裂實(shí)勻物扮蒙瀉皆辦籠拋藻汗囪府傈暴此鴉涎瑣烘蔗剮鄉(xiāng)隸十鯉薩謅桓閏窖冷遏體蚌架槳兇佰掏堂剪斯仰江股慌狼謊僅便辨殃氖得舌女爾稈賓膘荔梭靳聞夾豁窿階蟬頹埃崗馱咬億諸肘另枚掂步第紡韌燃庫(kù)原炒貓矣市毯畜姜止要已帚載亮漳掄購(gòu)灶榷記矩霸邱薪殘拿粱啞杜薦裳嗆帛庇中娩帳凸萌觸檄皇舀碟裂實(shí)勻物扮蒙瀉皆辦籠拋藻汗囪府傈暴此鴉涎瑣烘蔗剮鄉(xiāng)隸十鯉薩謅桓閏窖冷遏體蚌架槳兇佰掏堂剪斯仰江股慌狼謊僅便辨

9、殃氖得舌女爾稈賓膘荔梭靳聞夾豁窿階蟬頹1.1.保護(hù)器件避免劃傷和沾污2.限制帶電載流子場(chǎng)區(qū)隔離（表面鈍化）3.柵氧或存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料4.摻雜中的注入掩蔽5.金屬導(dǎo)電層間的電介質(zhì)6.減少表面懸掛鍵2.化學(xué)反應(yīng)：Si2H2OSiO22H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因?yàn)樗魵獗妊鯕庠诙趸柚袛U(kuò)散更快、溶解度更高3.、1.干氧：Si＋O2SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復(fù)性好，與光刻膠的粘附性好2、水汽氧化：Si

10、H2OSiO2（固）H2(氣)氧化速度快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差3、濕氧：氧氣攜帶水汽，故既有Si與氧氣反應(yīng)，又有與水汽反應(yīng)氧化速度、氧化質(zhì)量介于以上兩種方法之間4.摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣5.界面陷阱電荷、可移動(dòng)氧化物電荷..對(duì)于ULSI集成電路而言，特征尺寸的范圍在形成柵的多晶硅、柵氧以及距離硅片表面最近的金屬層。介質(zhì)層..層間介質(zhì)（ILD）ILD－1：隔離晶體管和互連金屬層；隔離晶體管和表面雜質(zhì)。采用

11、低k介質(zhì)作為層間介質(zhì)，以減小時(shí)間延遲，增加速度。4.答：膜淀積技術(shù)分類化學(xué)方法（1）CVDa.APCVD(AtmospherePressureChemicalVapDeposition)b.LPCVDc.等離子體輔助CVD：HDPCVD(HighDensityPlasmaCVD)、PECVD(PlasmaenhancedCVD)d.VPE和金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(2)電鍍：電化學(xué)淀積（ECD）、化學(xué)鍍層物理方法：（1）PVD（2）蒸發(fā)(含

12、MBE)（3）旋涂(SOGSOD)5.答：1)質(zhì)量傳輸2)薄膜先驅(qū)物反應(yīng)3)氣體分子擴(kuò)散4)先驅(qū)物吸附5)先驅(qū)物擴(kuò)散進(jìn)襯底6)表面反應(yīng)7)副產(chǎn)物解吸8)副產(chǎn)物去除6.答：（1）低k介質(zhì)須具備低泄漏電流、低吸水性、低應(yīng)力、高附著力、高硬度、高穩(wěn)定性、好的填隙能力，便于圖形制作和平坦化、耐酸堿以及低接觸電阻。研究較多的幾種無(wú)機(jī)低介電常數(shù)（二）高k介質(zhì)應(yīng)DRAM存儲(chǔ)器高密度儲(chǔ)能的需要，引入了高k介質(zhì)，在相同電容（或儲(chǔ)能密度）可以增加?xùn)沤橘|(zhì)的物