微電子工藝學(xué)課件7

1、微電子工藝學(xué)第一章 緒論 第一章 緒論第二章 現(xiàn)代 第二章 現(xiàn)代 CMOS 工藝技術(shù)第三章 晶體生長與襯底制備工藝技術(shù)第三章 晶體生長與襯底制備第四章 第四章 加工環(huán)境與基片清洗 加工環(huán)境與基片清洗 第四章 第四章 加工環(huán)境與基片清洗 加工環(huán)境與基片清洗第五章 光刻第六章 熱氧化第五章 光刻第六章 熱氧化第七章 擴散摻雜第八章 離子注入摻雜第七章 擴散摻雜第八章 離子注入摻雜第九章 薄膜淀積第十章 刻蝕第九章 薄膜淀積第十章 刻蝕第十一

2、章 第十一章 后段工藝與集成 后段工藝與集成1第十一章 第十一章 后段工藝與集成 后段工藝與集成1摻雜在微電子器件中的應(yīng)用 摻雜在微電子器件中的應(yīng)用雜質(zhì)固溶度決定雜質(zhì)固溶度決定硅晶格生長的雜質(zhì)決定硅晶格生長的雜質(zhì)決定摻入的雜質(zhì)是電活性的，能提供所需的載流子，使許多微結(jié)構(gòu)和器件 摻入的雜質(zhì)是電活性的，能提供所需的載流子，使許多微結(jié)構(gòu)和器件得以實現(xiàn) 得以實現(xiàn)。摻雜的最高極限約 摻雜的最高極限約1021 atoms/cm3，最低 最低1013

3、 atoms/cm3。晶片 器 件 作 用 雜 質(zhì) 晶片 器 件 作 用 雜 質(zhì)隱埋區(qū) 隱埋區(qū) Sb, As得以實現(xiàn) 得以實現(xiàn)。摻雜的最高極限約 摻雜的最高極限約 ，最低 最低 。硅雙極型晶體管及其 雙極型晶體管及其 IC隱埋區(qū) 隱埋區(qū) ,隔離區(qū) 隔離區(qū) B, Al基區(qū) 基區(qū) B, P發(fā)射區(qū) 發(fā)射區(qū) P As P As B 硅 發(fā)射區(qū) 發(fā)射區(qū) P, As, P-As, B電阻 電阻 B:P開關(guān)管及高速 開關(guān)管及高速 IC 提高開關(guān)速度