刻蝕工序培訓(xùn)

1、RENA InOx刻蝕工序培訓(xùn),刻蝕工序工藝培訓(xùn)刻蝕工序質(zhì)量培訓(xùn)刻蝕工序設(shè)備培訓(xùn),培訓(xùn)人：龐鳳英 彭連文,一、刻蝕工序工藝培訓(xùn),1.刻蝕的目的,擴(kuò)散過(guò)程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。 同時(shí)，由于在擴(kuò)散過(guò)程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成的P2

2、O5，部分P原子進(jìn)入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成PSG。 后清洗的目的就去除背面及邊緣的PN結(jié)和去除硅片表面的PSG（磷硅玻璃）。,刻蝕,清洗1,堿洗,酸洗,吹干2,,,,,,,,,2、后清洗的工藝步驟:,,,清洗2,清洗3,下片,,,上片,刻蝕槽：用于邊緣刻蝕，去除背面及邊緣的PN結(jié)。 所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，主要工藝參數(shù)：Firstfill volume:2

3、70.0L; Firstfill volume H2SO4 :80.0L; concentrations of chemical:HF(35g/L)&HNO3 (350g/L); Quality:120.0Kg; Setpoint recirculation flow:22.0L/min; Bath processtemperature:7±2 ℃影響因素：溫度、濃

4、度比、時(shí)間（通過(guò)調(diào)節(jié)滾輪速度來(lái)控制） 注意擴(kuò)散面須向上放置， H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。 根據(jù)刻蝕情況，可對(duì)溫度作適當(dāng)?shù)男拚Ｔ礁叩臏囟葘?duì)應(yīng)越快的反應(yīng)速度，故如果刻蝕不夠則可適當(dāng)提高反應(yīng)溫度，反之亦然。當(dāng)藥液壽命（Quality）到后（150W片左右），需更換整槽藥液。,堿洗槽 ： 所用溶液為KOH，主要工藝參數(shù)：Firstfill concent

5、ration of chemical:5%; Bath lifetime:250hours;Bath processtemperature:22±4 ℃當(dāng)藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。影響因素：濃度、時(shí)間堿洗槽的作用：1.洗去硅片表面多孔硅；2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。,HF酸槽 ： 所用溶液為HF，主要工藝參數(shù)：Firstfill concentration

6、 of chemical: HF(5%); Bath ifetime:250hours; Bath processtemperature:22± 4 ℃當(dāng)藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。影響因素：濃度、時(shí)間HF酸槽的作用：1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；2.去PSG,3.后清洗的原理 3.1濕法刻蝕原理: 利用HNO3和HF的

7、混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕,去除邊緣的N型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。,邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：,①4HNO3+3Si=3SiO2+4NO+2H2O②SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O,刻蝕前,刻蝕后,刻蝕前后比較,,,n+ Si,PSG,SPC控制：當(dāng)硅片從設(shè)備中流轉(zhuǎn)出來(lái)時(shí)，工藝需檢查硅片表面狀態(tài)，絨面無(wú)明顯斑跡，無(wú)藥液殘留。156多晶該工序產(chǎn)品要求腐蝕深度控制在0.8～1.2μm范圍之內(nèi),且硅片表面刻

8、蝕寬度不超過(guò)2mm, 同時(shí)需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于1K歐姆。,3.2去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減。 2) 死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會(huì)導(dǎo)致少子壽命的降低，進(jìn)而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。,去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF4

9、+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] 總： SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序檢驗(yàn)方法：當(dāng)硅片從HF槽出來(lái)時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在HF槽中適當(dāng)補(bǔ)些HF。,4.后清洗工序工藝要求,后清洗出來(lái)的片子，不允許用手摸片子的表面。收片員工只允許接觸

10、片子的邊緣進(jìn)行裝片。并且要勤換手套，避免PECVD后出現(xiàn)臟片！每批片子的腐蝕重量和絕緣電阻都要檢測(cè)。 1.要求每批測(cè)量4片。 2.每次放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批把測(cè)試片放1.3.5.7道，下一批則放2.4.6.8道，便于監(jiān)控設(shè)備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。生產(chǎn)沒(méi)有充足的片子時(shí)，工藝要求： 1.如果有1小時(shí)以上的停機(jī)，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。 2.停機(jī)后15分鐘用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，防止酸堿

11、形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。 3.停機(jī)1小時(shí)以上，要在開(kāi)啟機(jī)器生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕做出來(lái)的片子有滾輪??！,后清洗到PECVD的產(chǎn)品時(shí)間最長(zhǎng)不能超過(guò)4小時(shí),時(shí)間過(guò)長(zhǎng)硅片會(huì)污染氧化，從 而影響產(chǎn)品的電性能及效率.刻蝕槽液面的注意事項(xiàng)： 正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過(guò)程中顏色改變，立即通知工藝人員。,二、刻蝕工序質(zhì)量培訓(xùn),刻蝕工序的質(zhì)量控制主要分為來(lái)料質(zhì)量控制和刻蝕后的質(zhì)量控制。,1 來(lái)料要求,1

12、.1來(lái)料硅片的方阻要求在55~60歐姆。1.2來(lái)料硅片不能有黃點(diǎn)、污點(diǎn)等現(xiàn)象。,刻蝕工序質(zhì)量控制點(diǎn),2 出片質(zhì)量控制點(diǎn),2.1 刻蝕線寬度,刻蝕線寬度的測(cè)試主要是目測(cè)，一般硅片流出來(lái)之后，觀察其刻蝕線寬及刻蝕線的均勻性，要求線寬≤2mm。,刻蝕線,,,,,一個(gè)微過(guò)刻的片子,2.2 減薄量 減薄量的大小會(huì)影響到方阻的大小，減薄量過(guò)大會(huì)導(dǎo)致硅片方阻過(guò)大，反之亦然。減薄量控制在0.045~0.068g 。減薄量用電子天平進(jìn)行測(cè)定。

13、測(cè)定方法：每批取四片，分別測(cè)刻蝕前和刻蝕后的重量并作記錄。每次放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批把測(cè)試片放1.3.5.7道，下一批則放2.4.6.8道，便于監(jiān)控設(shè)備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。,減薄量檢測(cè)步驟：,1)取樣時(shí)確保手套是干凈的，不干凈的手套或不戴手套禁止觸摸硅片；確保天平已經(jīng)校準(zhǔn)好。2)取好樣以后用盒子盛裝拿到稱重處，對(duì)天平去皮。3）對(duì)每片稱重并記錄在電腦，同時(shí)記錄批號(hào)和時(shí)間。4）稱好4片后在RENA上料臺(tái)放片，注意每隔一道

14、放一片。硅片從RENA機(jī)出來(lái)后，收齊硅片。5）注意稱重前后的每片硅片是相對(duì)應(yīng)的，不要混淆。6）去PSG工序要求的腐蝕厚度為0.045~0.068g之間，如果高于或低于這個(gè)范圍，電腦數(shù)據(jù)表會(huì)提供一個(gè)參考值。生產(chǎn)部組長(zhǎng)或技術(shù)員根據(jù)推薦值做修改，但技術(shù)員必須知道有這個(gè)異常。,,2.3邊緣電阻刻邊后硅片各邊的絕緣電阻＞1000歐姆。用萬(wàn)用表測(cè)定硅片的邊緣電阻。如果小于1000歐姆，則可能邊緣的P-N結(jié)沒(méi)有刻斷。邊緣漏電，并聯(lián)電阻(Rsh)

15、下降,嚴(yán)重可導(dǎo)致失效。,測(cè)定方法跟減薄量相同，要求每批測(cè)量4片，每次放測(cè)量片時(shí)，把握均衡原則。便于監(jiān)控設(shè)備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。取樣如同減薄量測(cè)定。,冷熱探針?lè)ǖ臋z測(cè)原理,探針和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，傳導(dǎo)電流將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處的電子缺少，因而其電勢(shì)相對(duì)于同一材料上的室溫觸點(diǎn)而言是正的。同樣原理，P型半導(dǎo)體熱探針觸電相對(duì)于室溫觸點(diǎn)而言是負(fù)的。,萬(wàn)用表操作及判斷,1）確認(rèn)萬(wàn)用表工作正常，量程置于200mv。2 ）冷探針連接電壓

16、表的正電極，熱探針與電壓表的負(fù)極相連。,3）用冷熱探針接觸硅片的一個(gè)邊沿不相連的兩點(diǎn)，電壓表顯示這兩點(diǎn)間的電壓為正值，說(shuō)明導(dǎo)電類(lèi)型為P型，且大于30mv；如果數(shù)值為正值，但數(shù)值小于30mv，則為刻蝕不合格。相同的方法檢測(cè)另外三個(gè)邊沿的導(dǎo)電類(lèi)型是否為P型以及數(shù)值的大小。4）如果經(jīng)過(guò)檢測(cè)，任何一個(gè)邊沿沒(méi)有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進(jìn)行返工刻蝕。,2.4方阻變化量刻蝕后方阻的的上升幅度小于3歐姆。測(cè)定方法為四探針?lè)ā?

17、2.5 硅片5S控制硅片表面保持干凈，不允許有水珠，污點(diǎn)等現(xiàn)象。不允許手直接接觸硅片的表面。如果有水珠沒(méi)有吹干，將會(huì)影響下道鍍膜工序的外觀，鍍膜后硅片表面有白點(diǎn)?；虺霈F(xiàn)花紋、手紋印等。后清洗到PECVD的產(chǎn)品時(shí)間最長(zhǎng)不能超過(guò)4小時(shí),時(shí)間過(guò)長(zhǎng)硅片會(huì)污染氧化，從而影響產(chǎn)品的電性能及效率.,6、后清洗常見(jiàn)異常圖片分析,7、后清洗常見(jiàn)異常處理流程,三、刻蝕工序設(shè)備培訓(xùn),刻蝕工藝步驟： 邊緣刻蝕→堿洗 →酸洗→吹干,RENA InOxSid

18、e后清洗設(shè)備的主體分為以下七個(gè)槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。,Etch bath,Rinse1,AlkalineRinse,Rinse2,HF bath,Rinse3,Dryer2,,,,,,,,,一、刻蝕設(shè)備構(gòu)造,“一化一水”，硅片每經(jīng)過(guò)一次化學(xué)品，都會(huì)經(jīng)過(guò)一次水噴淋清洗。除刻蝕槽和第一道水噴淋之間,其它的槽和槽之間都有吹液風(fēng)刀除刻蝕槽外，其它化學(xué)槽和水槽都是噴淋結(jié)構(gòu)，去PSG氫氟酸槽

19、是噴淋結(jié)構(gòu)，而且片子進(jìn)入到溶液內(nèi)部。最后一道水噴淋（第三道水噴淋）由于要將所有化學(xué)品全部洗掉，所以水壓最大。相應(yīng)的，最后的吹干風(fēng)刀氣壓最大。,上片,刻蝕槽H2SO4/HNO3/HF,水噴淋,堿洗槽NaOH,水噴淋,去PSG槽HF,水噴淋,下片,吹干風(fēng)刀,,,,,,,,,RENA Inoxide 大致構(gòu)造,RENA清洗設(shè)備注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同,Etch bath：刻蝕槽

20、，用于邊緣刻蝕。 所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，作用：邊緣刻蝕，除去邊緣PN結(jié)，使電流朝同一方向流動(dòng)。 注意擴(kuò)散面須向上放置， H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。,Alkaline Rinse：堿洗槽 。 所用溶液為KOH，作用：中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。,HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液為HF，作用：中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿

21、液；去PSG,Rinse 1~3為水洗槽；水洗槽與槽之間相互聯(lián)通。Dryer 2為風(fēng)刀；通過(guò)調(diào)節(jié)風(fēng)刀的角度和吹風(fēng)的壓力，使硅片被迅速吹干。滾輪分三段設(shè)定速度，其中converyor1≤converyor 2≤converyor 3，（傳送帶）否則前快后慢，易在設(shè)備中因?yàn)榀B片而造成碎片。滾輪速度（即制絨時(shí)間）根據(jù)需要的腐蝕深度來(lái)進(jìn)行設(shè)置，生產(chǎn)過(guò)程中可根據(jù)測(cè)試結(jié)果來(lái)進(jìn)行滾輪速度修正。一般滾輪速度慢，則反應(yīng)時(shí)間增加，腐蝕深度加深，反之亦然

22、。,后清洗機(jī)臺(tái)的操作界面，基本的工藝要求，換藥規(guī)程等、基本都都同于前清洗設(shè)備，在此不再累述。 需要注意的是：后清洗刻蝕槽處的排風(fēng)很重要,二、RENA設(shè)備常見(jiàn)報(bào)警信息,1 關(guān)于waferjam（疊片）報(bào)警出現(xiàn)此類(lèi)滾輪是報(bào)警時(shí)，工藝人請(qǐng)?jiān)O(shè)備人員調(diào)整滾輪并取出碎片。如果是滾輪原因造成上述報(bào)警，同時(shí)上級(jí)決定暫時(shí)不能停機(jī)，可選擇不在報(bào)警道投片，待工藝換藥或設(shè)備PM時(shí)要求設(shè)備人員進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。此外可要求生產(chǎn)人員可適當(dāng)增

23、大放員需檢查各段否正常工作，設(shè)備中是否出現(xiàn)卡片、碎片。如果出現(xiàn)上述異常，需及時(shí)片間距，減少疊片的發(fā)生。2 關(guān)于temperature（溫度）報(bào)警出現(xiàn)此類(lèi)報(bào)警時(shí)，工藝人員需確認(rèn)coolingunit在工作，確認(rèn)有循環(huán)流量，然后等待并觀察溫度是否降低。如果溫度沒(méi)有下降趨勢(shì)，通知設(shè)備人員進(jìn)行檢查。,3 關(guān)于pump（泵）報(bào)警 出現(xiàn)此類(lèi)報(bào)警時(shí)，工藝人員需確認(rèn)報(bào)警槽的溶液量是否達(dá)到液位要求，循環(huán)是否正常。如有異常，補(bǔ)加藥液并手動(dòng)打開(kāi)槽

24、體循環(huán)。同時(shí)要求設(shè)備人員檢查該槽噴淋濾芯是否正常。4 關(guān)于dry（風(fēng)刀）報(bào)警 出現(xiàn)此類(lèi)報(bào)警時(shí)，工藝人員需檢查外圍供氣壓力是否正常，風(fēng)刀有無(wú)被堵。并及時(shí)通知外圍人員或設(shè)備人員作出相應(yīng)調(diào)整。5 關(guān)于刻蝕槽flow（流量）報(bào)警出現(xiàn)此類(lèi)報(bào)警時(shí)，工藝人員需檢查是否有碎片堵住藥液入口。如有碎片需取出后，將藥液打入tank混勻溶液后重新將藥液打入bath中。如果流量不穩(wěn)定報(bào)警，需要求設(shè)備人員檢查相應(yīng)傳感器,6 關(guān)于overfilled（

25、溶液過(guò)滿）報(bào)警出現(xiàn)此類(lèi)報(bào)警時(shí)，工藝人員需要求設(shè)備檢查液位傳感器是否正常工作。如果確實(shí)過(guò)滿，則需要手動(dòng)排掉部分藥液，直到達(dá)到生產(chǎn)液位要求。7 關(guān)于 tank empty（儲(chǔ)藥罐空）報(bào)警出現(xiàn)此類(lèi)報(bào)警時(shí)，說(shuō)明外圍相應(yīng)儲(chǔ)藥罐中的藥品已空，需及時(shí)通知外圍人員添加藥液。,8 關(guān)于 valve blocked（閥門(mén)被堵）報(bào)警出現(xiàn)此類(lèi)報(bào)警時(shí)，則有閥門(mén)被堵，必須立即通知設(shè)備人員處理。9 顏色突出指示的意義 出現(xiàn)報(bào)警信息時(shí)，各種顏色突出所

26、指示的相關(guān)意義如下圖所示,三、如何減小RENA設(shè)備的碎片率,39,,正確位置,錯(cuò)誤的位置,1. 放片方法應(yīng)嚴(yán)格按照作業(yè)指導(dǎo)書(shū)，輕拿輕放在正確位置。多晶156的硅片由于面積較大，如果放置的位置不正確，很容易造成疊片卡片等，致使硅片在機(jī)器中碎裂。,40,2. 提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過(guò). 滾輪能夠碰到擋板的地方，可以選擇將擋板

27、切掉一部分.,蓋子容易碰到滾輪,,41,3. 減少CDA的壓力，調(diào)節(jié)上下風(fēng)刀的壓力，使得上下壓力到達(dá)均衡． 4.調(diào)整風(fēng)管的方向，確保O-ring沒(méi)有碰到風(fēng)管．,調(diào)節(jié)擋板和滾輪之間的距離,42,5. 調(diào)整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運(yùn)行． 6.調(diào)整風(fēng)管和水管的位置，使得片子在通過(guò)的時(shí)候，不會(huì)影響片子的運(yùn)行．,43,7. 檢查所有滾輪和O-ring的位置是正確的，確保上下滾輪在同一條線上． 8.調(diào)節(jié)滾輪的

28、高度和水洗管的位置保證片子在傳送過(guò)程中無(wú)偏移．如果發(fā)生偏移會(huì)產(chǎn)生碎片．,,44,9.調(diào)節(jié)滾輪１的速度小于滾輪２的速度，如果生產(chǎn)不趕產(chǎn)量，則盡量讓生產(chǎn)人員放片子不要太急，拉大片間距，這樣片子進(jìn)出設(shè)備較均勻，不易產(chǎn)生疊片等現(xiàn)象．,片子之間距離2cm,45,10.工藝人員在日常正常生產(chǎn)過(guò)程中，如果發(fā)現(xiàn)機(jī)器碎片，一方面應(yīng)該提醒產(chǎn)線員工注意放片規(guī)范，減少疊片和歪片；另一方面，應(yīng)巡查上述主要地方，及時(shí)找到并清理在設(shè)備中殘留的碎片，杜絕更多碎片的產(chǎn)生

29、。,四、前后清洗十項(xiàng)影響效率、良率(或特定電參數(shù))的原因,A.片源不同 這里提到的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、邊皮料、金屬硅、復(fù)拉料、重?fù)诫s等等）以及晶體大小不同（微晶片等），對(duì)于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕速率和形成的絨面結(jié)構(gòu)都會(huì)不同，短路電流將受到重大影響，其他電性能也會(huì)受到一定程度的影響。后清洗雙向切割片的線痕過(guò)大會(huì)造成過(guò)刻等。 預(yù)防措施：1集中投片配合工藝對(duì)藥液的調(diào)節(jié)2每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量

30、是有超規(guī)范,B.藥液濃度的穩(wěn)定性 包括藥液補(bǔ)加量的準(zhǔn)確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參數(shù)的設(shè)置等。 預(yù)防措施：1.設(shè)備帶料不生產(chǎn)時(shí)把藥液排到TANK槽中2.控制穩(wěn)定的溫度3.測(cè)量硅片反射率是否超規(guī)范4.每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實(shí)際測(cè)量藥液補(bǔ)加的測(cè)量器,C.溫度的波動(dòng) 溫度直接影響片子與藥液反應(yīng)的程度，其波動(dòng)的大小和波動(dòng)的周期直接影響批內(nèi)和批次間腐蝕量和刻蝕量的不同，進(jìn)

31、而導(dǎo)致電性能的波動(dòng)。 預(yù)防措施：1.設(shè)備定期檢查cool是否正常2.設(shè)備端進(jìn)行溫度SPC監(jiān)控3.工藝每天檢查溫度趨勢(shì)4.測(cè)量硅片反射率是否超規(guī)范5.每批產(chǎn)品測(cè)量刻蝕重量是有超規(guī)范,D.設(shè)備噴淋的異常 噴淋的異常會(huì)導(dǎo)致藥液殘留和一些反應(yīng)不能正常進(jìn)行，進(jìn)而出現(xiàn)臟片。 預(yù)防措施：1.設(shè)備每次做完P(guān)M時(shí)調(diào)整好噴淋角度，并用假片檢查硅 片是否有臟片。2.生產(chǎn)每?jī)尚r(shí)檢查設(shè)備是否有碎片

32、卡在滾輪中，堵住噴 淋口3.蓋擋板時(shí)須輕放，避面擋板打偏噴淋口4.對(duì)于堿槽，當(dāng)設(shè)備待料超過(guò)15分鐘時(shí)必須沖洗噴淋及風(fēng)刀,E.過(guò)刻的異常 后清洗造成過(guò)刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從而影響效率及良率 預(yù)防措施：1.調(diào)節(jié)排風(fēng)或降低流量或提高速度2.設(shè)備端安裝排風(fēng)監(jiān)控表，并每天檢查3.滾輪或槽體擋板變形，需調(diào)整滾輪或擋板4.藥液濃度異常，需調(diào)節(jié)濃度5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實(shí)際測(cè)量藥液補(bǔ)加的測(cè)量器

33、,F.設(shè)備滾輪的變形異常 導(dǎo)致碎片、腐蝕不均、過(guò)刻、硅片沾不到液等，最終影響效率 預(yù)防措施：1.設(shè)備PM時(shí)定期檢查2.工藝及時(shí)反饋刻蝕狀況,G.設(shè)備PM徹底性和細(xì)化 PM進(jìn)行的徹底到位可以保證生產(chǎn)的正常進(jìn)行，如濾芯的清洗，清洗不好，可能導(dǎo)致水不干凈，造成水痕臟片等；碎片清理不徹底可能導(dǎo)致碎片流入藥液管道造成藥液流量降低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。 預(yù)防措施：1.要求設(shè)備PM

34、之前必須沖洗各個(gè)槽滾輪，且在PM后工藝端檢查是否做到位，看碎片是否清洗干凈，滾輪是否安裝好等,H.測(cè)量?jī)x器的短缺 測(cè)量?jī)x器的短缺會(huì)造成測(cè)量不能及時(shí)進(jìn)行，產(chǎn)品質(zhì)量不能保證，甚至導(dǎo)致生產(chǎn)大量不良片后才發(fā)現(xiàn)。至少保證每?jī)膳_(tái)機(jī)器有一臺(tái)測(cè)量?jī)x器（電子天平和絕緣電阻測(cè)試儀）。 預(yù)防措施：1.設(shè)備定期檢查測(cè)量?jī)x器是否完好，準(zhǔn)確2.校正部門(mén)應(yīng)定期校正測(cè)量?jī)x器3.應(yīng)給每臺(tái)設(shè)備配備測(cè)量?jī)x器,I.工藝規(guī)定和要求執(zhí)行的不徹底

35、1.主要包括新?lián)Q藥液后和待機(jī)一段時(shí)間后跑假片，假片跑不夠，就會(huì)出現(xiàn)滾輪影或刻蝕量不夠；2.片源不足時(shí)集中投放，不然前清洗容易出現(xiàn)刻蝕量不均勻，后清洗容易出現(xiàn)過(guò)刻；3.清洗后的片子放置時(shí)間控制，硅片表面氧化，影響后面效率良率；4.待料時(shí)滾輪不及時(shí)沖洗，容易出現(xiàn)堿槽噴淋風(fēng)刀鹽結(jié)晶堵塞，導(dǎo)致出現(xiàn)臟片和 水洗1槽濾芯鹽結(jié)晶堵塞，出現(xiàn)流量低，從而出現(xiàn)臟片等。 預(yù)防措施：1.培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范2.建立考核制度3.工藝設(shè)備

36、加強(qiáng)檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況,J.員工的操作不當(dāng)、質(zhì)量意識(shí)欠缺以及作業(yè)區(qū)5S執(zhí)行狀況 主要表現(xiàn)為片子放反，出現(xiàn)不良時(shí)不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)隔離并通知工藝和設(shè)備，減少不良產(chǎn)生等。手套，片盒，桌面，機(jī)臺(tái)等衛(wèi)生狀況都會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量。預(yù)防措施：1.培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范及5S規(guī)范2.建立考核制度3.5S、工藝、設(shè)備加強(qiáng)檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況,五、緊急情況的處理,情況 一 ：堿槽發(fā)生堵片 片子在堿液中浸泡時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，硅片會(huì)

37、于堿液發(fā)生反應(yīng)，正面的PN結(jié)很快就會(huì)受到破壞，而后會(huì)腐蝕表面的金字塔，甚至達(dá)到拋光的效果。堿槽發(fā)生堵片需立即用大量清水沖洗硅片，待片子取出后，手動(dòng)狀態(tài)下用RENA清洗這些片子（水噴淋、酸洗、吹干），將片子上殘留的酸液洗凈，然后進(jìn)行方塊電阻的測(cè)量，電阻無(wú)異常的可按正常程序繼續(xù)生產(chǎn)下去（從鍍膜開(kāi)始往下做）；電阻異常的，擴(kuò)散能返工好的在擴(kuò)散返工，擴(kuò)散無(wú)法返工的從制絨開(kāi)始重新做。,情況 二：刻蝕槽發(fā)生堵片 此時(shí)片子正面一般都會(huì)沾上

38、刻蝕液，從而破壞正面的PN結(jié)。為防止刻蝕液被稀釋，取片時(shí)不宜用大量水沖洗。這種片子取出后，需在手動(dòng)狀態(tài)下用RENA清洗這些片子（堿洗、水洗、酸洗、吹干），將片子上殘留的酸液洗凈，然后進(jìn)行方塊電阻的測(cè)量，電阻無(wú)異常的可按正常程序繼續(xù)生產(chǎn)下去（從RENA開(kāi)始往下做）；電阻異常的，擴(kuò)散能返工好的在擴(kuò)散返工，擴(kuò)散無(wú)法返工的從制絨開(kāi)始重新做。,情況 三 ：酸槽發(fā)生堵片 片子在酸液中浸泡時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，硅片會(huì)于酸液發(fā)生反應(yīng)，在電池片表面形成一種黃褐

39、色的膜。酸槽發(fā)生堵片時(shí)立即用大量清水沖洗，只要沖洗及時(shí)是不會(huì)有影響的，此時(shí)只要手動(dòng)狀態(tài)下用RENA清洗這些片子（水噴淋、酸洗、吹干），然后從鍍膜開(kāi)始往下做。,情況 四 ：設(shè)備斷電或重大報(bào)警導(dǎo)致的機(jī)器異常停止 設(shè)備斷電或異常停止后，刻蝕槽溶液會(huì)自動(dòng)打回儲(chǔ)備槽。 1.若果設(shè)備立即就能恢復(fù)，此時(shí)將設(shè)備切換到手動(dòng)狀態(tài)，將除刻蝕槽外的所有工序打開(kāi)，然后打開(kāi)滾輪，讓硅片及時(shí)走出。這種情況下，出現(xiàn)異常時(shí)已經(jīng)經(jīng)過(guò)堿槽的

40、片子可正常往下做；而停在刻蝕槽中的片子需重新完整的再經(jīng)過(guò)一遍RENA刻蝕：堿槽的片子需測(cè)一下方塊電阻，正常即可往下做，電阻變大需從擴(kuò)散開(kāi)始返工。,2.若果設(shè)備較長(zhǎng)時(shí)間不能恢復(fù)，此時(shí)盡量用水槍沖洗滯留在堿槽、酸槽中的片子，防止片子與溶液發(fā)生反映。待設(shè)備恢復(fù)后，切換設(shè)備到手動(dòng)狀態(tài)，將除刻蝕槽外的所有工序打開(kāi)，然后打開(kāi)滾輪，讓硅片及時(shí)走出。此時(shí)若硅片表面顏色、外觀沒(méi)有變化，可以將出現(xiàn)異常時(shí)已經(jīng)經(jīng)過(guò)堿槽的片子正常往下做；停在刻蝕槽中的片子重新完

41、整的再經(jīng)過(guò)一遍RENA刻蝕；堿槽的片子需測(cè)一下方塊電阻，正常即可往下做，電阻變大需從擴(kuò)散開(kāi)始返工。若堿槽硅片已出現(xiàn)拋光現(xiàn)象或酸槽硅片的表面顏色已經(jīng)變化，需將堿槽和酸槽的片子從制絨開(kāi)始返工，其它槽的片子需重新做一遍RENA刻蝕。,六、開(kāi)關(guān)機(jī)操作,1. 開(kāi)機(jī)1.檢查冷卻水、電、氣（包括N2 ，壓縮空氣），化學(xué)品（HF ，HNO3， H2SO4，NaOH）是否供應(yīng)正常；2.開(kāi)機(jī)，開(kāi)關(guān)位于灰色的電氣箱上；3.打開(kāi)顯示器；

42、4.登錄。點(diǎn)擊屏幕右上角“Login”，輸入帳號(hào)和密碼，點(diǎn)擊“Login”；5.注意，在“Mode Off ”模式下，圖表里的所有操作的單元顯示“Off ”。 此外，當(dāng)腐蝕溶液仍在儲(chǔ)液槽里時(shí)，Etch Bath圖表顯示為“not ready”；,6.輸入相關(guān)工藝文件。點(diǎn)擊進(jìn)入“Recipe > Rec. Admin.”選擇相應(yīng)的工藝文件后，點(diǎn)擊“Load Recipe”>“Write recipe to PLC”；7

43、.返回主界面，點(diǎn)擊“Mode Auto” 返回自動(dòng)模式。 圖表顯示“Off ”(藍(lán)色)變成“Auto”(綠色)；8.設(shè)備將自動(dòng)從儲(chǔ)液槽將溶液補(bǔ)入腐蝕槽 etch bath,圖表顯示為“filling chemie”(黃色)； 9.等待直到腐蝕槽Etch Bath補(bǔ)滿，溫度達(dá)到設(shè)定值，圖表顯示為“Full Chem.” and “ready” (兩個(gè)都是綠色)。,2.關(guān)機(jī)1.先確定設(shè)備內(nèi)有沒(méi)有硅片，待所有硅片出來(lái)后才能進(jìn)行關(guān)機(jī)

44、操作；2.點(diǎn)擊屏幕下方的“Stop”；3.把Etch Bath的溶液排到儲(chǔ)液槽。點(diǎn)擊選擇手動(dòng)模式 “Mode Manual.” , 然后在選單 “Manual > Etch Bath”中，點(diǎn)擊“Drain bath”；4.等待Etch Bath排液完成顯示“Empty”(黃色)；5.點(diǎn)擊“Mode Off” 進(jìn)入離線模式；6.檢查設(shè)備門(mén)位置，調(diào)整好；,7.點(diǎn)擊右上角的“Logoff”，一個(gè)視窗會(huì)跳出；

45、8.點(diǎn)擊“Logoff”，設(shè)備門(mén)將被鎖上；9.如果設(shè)備門(mén)沒(méi)有關(guān)好，alert警告會(huì)出現(xiàn)。 再次登錄，調(diào) 整好門(mén)并取消警報(bào)；10.關(guān)掉顯示器；11.關(guān)機(jī)，開(kāi)關(guān)位于灰色的電氣箱上。（注意：不要用設(shè)備的供電開(kāi)關(guān)關(guān)機(jī)）,七、設(shè)備操作注意事項(xiàng),1.整個(gè)清洗過(guò)程中，應(yīng)關(guān)閉所有工作的窗子，以防氣態(tài)化學(xué)物外泄。如有泄露，要及時(shí)通知相關(guān)部門(mén)。2.在整個(gè)清洗過(guò)程中，嚴(yán)禁有金屬雜質(zhì)進(jìn)入清洗槽。3.作業(yè)人員在操作過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)化