刻蝕反應(yīng)腔的精確匹配.pdf

1、蝕刻在半導(dǎo)體工藝中主要負(fù)責(zé)圖形轉(zhuǎn)換的過(guò)程,線寬的變窄對(duì)工藝的穩(wěn)定性提出了相當(dāng)高的要求。90nm以下的邏輯產(chǎn)品,銅互連成為替代鋁連線的標(biāo)準(zhǔn)工藝。但是,銅極易在氧化物中擴(kuò)散,生產(chǎn)中如何避免污染,保持刻蝕率的穩(wěn)定是很重要的問(wèn)題。本文所涉及的Liner Remove工藝步驟,就是在的刻蝕步驟中會(huì)接觸到銅,所述的蝕刻腔體的精確匹配就是要滿足這種穩(wěn)定性需求:在空間上,也就是當(dāng)有新產(chǎn)品需要認(rèn)證或是新機(jī)臺(tái)需要投入使用時(shí),反應(yīng)腔與標(biāo)準(zhǔn)腔體要匹配,需要各個(gè)

2、子系統(tǒng)的偏差都在許可的范圍內(nèi)。通過(guò)調(diào)節(jié)機(jī)臺(tái)硬件參數(shù),使反應(yīng)腔能與標(biāo)準(zhǔn)腔體匹配。要使各個(gè)機(jī)臺(tái)生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品尺寸都是一致的?？v向在時(shí)空上,要求先后生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品規(guī)格要一致,機(jī)臺(tái)本身的性能始終要和以前剛開(kāi)始生產(chǎn)的時(shí)候匹配。通過(guò)dry clean的方式,有效解決了刻蝕不均勻度變差的問(wèn)題。運(yùn)用DOE的實(shí)驗(yàn)方法找到了保證制程穩(wěn)定的工藝調(diào)試窗口;經(jīng)過(guò)進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn),找到了降低刻蝕率不均勻度的工藝程式。機(jī)臺(tái)的性能不能因?yàn)榫S修或是保養(yǎng)而發(fā)生重大變化,要以機(jī)