硅粉在振動(dòng)陰極反應(yīng)室中的刻蝕模型研究.pdf

1、一自以來，硅材料的昂貴成本限制了太陽能電池在地面的應(yīng)用普及，因此低成本硅材料制造技術(shù)的研究開發(fā)成為太陽能電池發(fā)展的一個(gè)比較關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。本交將原自立平板電極反應(yīng)室進(jìn)行了改進(jìn)，并在此基礎(chǔ)上研究了冷等離子體刻蝕硅粉提純的刻蝕理論和刻蝕方法。
　　 在使用自立平板電極對(duì)硅粉進(jìn)行冷等離子體刻蝕的過程中，有著刻蝕時(shí)間短、刻蝕速率低、操作復(fù)雜、回收率低以及引入新雜質(zhì)等諸多缺點(diǎn)。針對(duì)這些問題，本文設(shè)計(jì)了一種帶偏轉(zhuǎn)磁場的振動(dòng)陰極反應(yīng)室，對(duì)粉粒在反

2、應(yīng)室中的運(yùn)動(dòng)情況的分析表明，通過調(diào)整陰極傾斜角和外加電壓、選擇半徑大小在25}=SO}m的硅粉顆粒，可以使硅粉在冷等離子體中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間提高到原來的十倍以上，且刻蝕速率與以前相比也有提高。
　　 為了探索將硅粉純度提高到99.99%以上的途徑，本文從濺射率和粒子通量的角度，計(jì)算出硅粉在冷等離子體中的刻蝕速率。通過對(duì)刻蝕速率相關(guān)參數(shù)的分析，得出影響硅粉在冷等離子體中刻蝕速率的主要因素以及增大刻蝕速率的途徑。本文最后結(jié)合自立平板電極反